Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.107: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Selbstorganisation beim SiC-Schichtwachstum auf Si(001) durch Koverdampfung — •Eberhard Bugiel¹, Hans Jörg Osten² und Peter Zaumseil² — ¹Institut für Halbleiterphysik, PSF 409, D-15204 Frankfurt (Oder) — ²IHP Frankfurt (Oder)

Die Bildung von sich selbst organisierenden Übergittern beim homogenen epitaxialen Wachstum von Si(1-y)C(y) auf Si(001) ist ein ein grundlegendes Phänomen und ist nicht an spezielle Wachs- tumstechniken gebunden. Bei höheren Temperaturen gewachsene zeigen eine höhere Konzentration von nicht substitutionellem C und bei Querschnittsuntersuchungen im Transmissionselektronen- mikroskop sind Kontrastvariationen in wachstumsrichtung zu beobachten, deren Periode eine monotone Funktion der Wachstums- temperatur und der Wachstumsrate ist. Diese Kontrastvariationen werden durch schichtförmig angeordnete Präzipitate von wenigen nm Größe verursacht. Die Abhängigkeit der Periode von Wachstums- temperatur und Wachstumsrate ist ähnlich der der Oberflächen- diffusion von Si-Adatomen mit einer Aktivierungsenergie von etwa 0,94 eV.