Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

	10:30	HL 24.1	Optische Nahfeldspektroskopie einzelner Halbleiternanostrukturen bei tiefen Temperaturen — •Ch. Lienau, A. Richter, M. Süptitz, T. Elsaesser, M. Ramsteiner, R. Nötzel und K.H. Ploog
	10:30	HL 24.2	Magnetooptische Untersuchungen von Exzitonen in InGaAs/ InP-MQWs mit unterschiedlichem Kopplungsgrad — •M. Rode, O. Jaschinski, J. Schoenes, P. Bönsch und A. Schlachetzki
	10:30	HL 24.3	HRTEM-Untersuchung von InxGa1−xAs/GaAs(001) - Inselstrukturen — •U. Fischer, A. Rosenauer, T. Remmele, D. Ger-thsen und A. Förster
	10:30	HL 24.4	Ortsaufgelöste Raumtemperatur Photolumineszenz von GaAs und AlGaAs — •G. Letay, F. Dimroth, O. Sulima und A. W. Bett
	10:30	HL 24.5	Elektrooptische Untersuchungen höherer Bandübergänge in quaternären III-V Halbleitern InGaAsP — •C. Reh und G. Weiser
	10:30	HL 24.6	Persistente Leitfähigkeitsänderungen in n-GaAs unter Einfluß von filamentären Stromfluß — •H. Klimenta, S. Angloher, M. Danner und W. Prettl
	10:30	HL 24.7	Untersuchung der elektrischen Struktur von Ga-Leerstellen in GaP(110)-Oberfl"achen mit dem Rastertunnelmikroskop — •C. Domke, Ph. Ebert, and K. Urban
	10:30	HL 24.8	Untersuchungen zum reaktives Ionenstrahlätzen von InSb und InAs — •Frank Frost, Axel Schindler, Frieder Bigl und Gerd Lippold
	10:30	HL 24.9	Untersuchungen zur Arsen-Diffusion in Galliumphosphid — •J. Pöpping, G. Bösker, N.A. Stolwijk, A. Burchard und H. Mehrer
	10:30	HL 24.10	Resonantes Tunneln durch InAs-Dots — •I. Hapke-Wurst, P. König, U. Zeitler, R.J. Haug, K. Pierz und F.-J. Ahlers
	10:30	HL 24.11	Arsen-Diffusion in intrinsisches und zinkdotiertes Galliumarsenid — •G. Bösker, N.A. Stolwijk, U. Södervall, A. Burchard und H. Mehrer
	10:30	HL 24.12	Temperaturabhängigkeit der effektiven Elektronenmasse von InSb aus Messungen der Magneto-Phonon-Resonanz, des Schubnikow- de Haas-Effektes und der Raman-Streuung — •S. Krull, D. Schneider, G. Irmer und P. Verma
	10:30	HL 24.13	Temperaturabh"angigkeit der effektiven Elektronenmasse von InAs aus Messungen der Magneto-Phonon-Resonanz und Raman-Streuung f"ur Temperaturen zwischen T=90 K und 340 K — •C. Brink, D. Schneider, G. Irmer, and P. Verma
	10:30	HL 24.14	Ortsaufgelöste Photolumineszenz-Messungen an lateralen InGaAsP-Strukturen bei tiefen Temperaturen — •Ralf Schönfelder, Klaus Thonke, Martin Wachter und Rolf Sauer
	10:30	HL 24.15	Herstellung dünner AlN-Schichten auf NiAl(110) mittels thermischer Ammoniak-Zersetzung — •F. Baur, G. Schmitz, E. Rokuta, Ch. Oshima und R. Franchy
	10:30	HL 24.16	Struktur und Lumineszenz von homoepitaktischen GaN(0001)-Schichten — •Silke Christiansen, Martin Albrecht, Horst P. Strunk, Carlo Zanotti-Fregonara, Giancarlo Salviati, Markus Mayer, Arthur Pelzmann, Markus Kamp, Izabella Grzygory und Sylvester Porowski
	10:30	HL 24.17	Dekomposition, Ordnung und Polytypie in heteroepitaktischen (Al,Ga)N Schichten: Transmissionselektronenmikroskopie und Kathodolumineszenz — •Martin Albrecht, Silke Christiansen, Carlo Zanotti-Fregonara, Giancarlo Salviati, Helmut Angerer, Roman Dimitrov, Oliver Ambacher, Martin Stutzmann und Horst P. Strunk
	10:30	HL 24.18	MOMBE-Wachstum dünner InGaAsP-Vielschichtstrukturen für optoelektronische Bauelemente — •Philipp Kröner, Michael Popp, Horst Baumeister, Markus Keidler, Harald Heinecke und Eberhard Veuhoff
	10:30	HL 24.19	Defektinduzierte Katodolumineszenz in InP und CdTe — •N. Engler, H.S. Leipner, L. Höring und J. Schreiber
	10:30	HL 24.20	Conducting AFM for characterization of thin SiO2 — •Alexander Olbrich, Bernd Ebersberger, Christian Boit, Johann Vancea, and Horst Hoffmann
	10:30	HL 24.21	Lithografie auf Halbleitern, Isolatoren und Metallen mit dem Rasterkraftmikroskop — •U. Röder, B. Klehn und U. Kunze
	10:30	HL 24.22	The origin of the integral barrier height in inhomogeneous Schottky contacts: A ballistic electron emission microscopy (BEEM) study — •Alexander Olbrich, Johann Vancea, Franz Kreupl, and Horst Hoffmann
	10:30	HL 24.23	Untersuchung von Ordnungsphänomenen in ternären Verbindungshalbleitern mittels Cross-Sectional Rastertunnelmikroskopie — •A. J. Heinrich, M. Wenderoth, T. C. G. Reusch und R. G. Ulbrich
	10:30	HL 24.24	Infrared absorption in amorphous silicon from ab initio molecular dynamics — •Alberto Debernardi, Marco Bernasconi, Manuel Cardona, and Michele Parrinello
	10:30	HL 24.25	Photolumineszenz von Er3+ Ionen in amorphem Silizium (a-Si:H) — •H. Kühne, G. Weiser und J. Terukov
	10:30	HL 24.26	Untersuchung der Amorphisierung von III/V Halbleitern durch Implantation — •P. Friedsam, K. Freitag, M. Forker und R. Vianden
	10:30	HL 24.27	Generationsratenabhängigkeit der Photostromantwort in amorphen Halbleitern — •H. Cordes und R. Brüggemann
	10:30	HL 24.28	Spektrale Quanteneffizienz von a-Si:H Dioden unter Biasbeleuchtung — •T. Binnewies, T. Unold, R. Brüggemann und G.H. Bauer
	10:30	HL 24.29	Phononen Zustandsdichte und Lokalisierungseigenschaften verschiedener Strukturmodelle für a-Si — •F. Finkemeier und W. von Niessen
	10:30	HL 24.30	Elektronische Zustandsdichten und Lokalisierungseigenschaften verschiedener Strukturmodelle für a-Si und a-Si:H — •S. Knief, Th. Koslowski und W. von Niessen
	10:30	HL 24.31	Eigenschaften von a-Si1−x Cx:(O,H)–Dünnfilmen hergestellt aus Triethylsilan — •J. Niemann und W. Bauhofer
	10:30	HL 24.32	Dunkel- und Photoleitung in mikrokristallinem Silizium. — •M. Rojahn und R. Brüggemann
	10:30	HL 24.33	Wachstum von mikrokristallinem Silizium hergestellt mit der Layer-by-Layer Methode — •O. Vetterl, L. Houben, P. Hapke, F. Finger, R. Carius, and H. Wagner
	10:30	HL 24.34	a-Si1−xCx:H Dünnschichten als Szintillatorfläche in UV-Sensoren — •J. Seekamp, O. Liepelt, J. Henneberg, B. Wicht, J. Niemann und W. Bauhofer
	10:30	HL 24.35	Thermochemical Polishing of Diamond — •Alexander Zaitsev, Gaby Kosaca, Frank Blum, and Wolfgang R. Fahrner
	10:30	HL 24.36	Thermal Conductivity Measurment Set-up — •Andrej Denisenko, J"org Bonhaus, Frank Blum, and Wolfgang R. Fahrner
	10:30	HL 24.37	Wachstum und "Atzen an der Grenzfl"ache von orientierten CVD Diamantschichten auf Silizium — •A. Bergmaier, G. Dollinger, A. Fl"oter, and H. G"uttler
	10:30	HL 24.38	Optische-DLTS-Untersuchungen an InAs Monolagen im GaAs — •R. Pickenhain, H. Schmidt und V. Gottschalch
	10:30	HL 24.39	Nahfeld-Verst"arkung des photoresistiven Effektes in n-GaAs/Al-Schottky-Tunnelkontakten — •E. Zepezauer, A.Ya. Shul’man, I.N. Kotel’nikov, S.D. Ganichev, A. Ormont, and W. Prettl
	10:30	HL 24.40	Unordnungsinduzierte Verschiebung der Zyklotronresonanz des 2DES in δ-dotierten GaAs/GaAlAs-Heterostrukturen — •M. Widmann, R. Sellin, U. Merkt, M. Cortés, W. H"ausler, and K. Eberl
	10:30	HL 24.41	Magnetfeldinduzierte räumliche Dispersion in den magnetischen Halbleitern Cd1−xMnxTe. — •B.B. Krichevtsov, R.V. Pisarev, A.A. Rzhevsky, V.N. Gridnev, and H.-J. Weber
	10:30	HL 24.42	Optische Nahfeld-Reflektionsspektroskopie an Halbleiternanostrukturen — •W. Langbein, J.M. Hvam, and S.M. Madsen
	10:30	HL 24.43	Der optische Stark-Effekt mit gequetschtem Strahlungsfeld — •T. Altevogt, H. Puff und R. Zimmermann
	10:30	HL 24.44	Exzitonen-Spektren von ungeordneten Halbleiterstrukturen — •E. Runge, A. Esser und R. Zimmermann
	10:30	HL 24.45	Optische Streuung in mikrokristallinem Silizium aus hot-wire CVD — •P. Reinig, R. Brüggemann und G.H. Bauer
	10:30	HL 24.46	Nonlinear Absorption and Pulse Propagation in ZnSe — •Q.Y. Peng, G. Manzke, U. Moldzio, and K. Henneberger
	10:30	HL 24.47	EXZITONEN-IONISATION IN EINEM HALBLEITER QUANTENTOPFSYSTEM: PUMP-AND-PROBE EXPERIMENTE MIT AKUSTISCHEN OBERFLÄCHENWELLEN — •M. Streibl, C. Rocke, A.O. Govorov, A. Wixforth, G. Böhm und W. Wegscheider
	10:30	HL 24.48	Geladene Exzitonen in schwach dotierten Halbleitern — •F.X. Bronold und H. Böttger
	10:30	HL 24.49	Calculated optical spectra of LaTiO3 — •O.V. Krasovska , V.N. Antonov , and W. Schattke
	10:30	HL 24.50	Photonische Zustände in gekoppelten Mikroresonatoren — •T. Gutbrod, M. Bayer, A. Dremin, A. Forchel, T.L. Reinecke und P.A. Knipp
	10:30	HL 24.51	Anomale Diffusion von Bor in Silicon-on-Insulator-Substraten — •S. Pindl, E. Hammerl und H. von Philipsborn
	10:30	HL 24.52	Stöchiometriebedingte Bildung von Leerstellen in GaAs — •J. Gebauer, R. Krause-Rehberg und M. Lausmann
	10:30	HL 24.53	LVM-Untersuchungen an Bor-Komplexen in VGF-GaAs — •Günter Gärtner und Carola Hannig
	10:30	HL 24.54	Magnetische Resonanz flacher Donatoren in Galliumoxid — •U. Leib, D. M. Hofmann, A. Hofstaetter und B. K. Meyer
	10:30	HL 24.55	Charakterisierung tiefer Störstellen in Halbleitern durch Tunnelionisation in Terahertzfeldern — •E. Ziemann, S.D. Ganichev, I.N. Yassievich und W. Prettl
	10:30	HL 24.56	Tieftemperatur-Ausbreitungswiderstandsanalyse zur Untersuchung der Diffusion von Fremdelementen in Ge — •S. Vo"s, A. Giese, H. Bracht, N.A. Stolwijk, and H. Mehrer
	10:30	HL 24.57	Diffusion von Zink in hochdotiertem n-leitenden Silicium — •A. Rodriguez Schachtrup, H. Bracht und H. Mehrer
	10:30	HL 24.58	Optische Identifizierung von Ti3+ in ZnTe — •A. Dörnen, H.R. Selber, E. Baars, B. Kaufmann und H.-J. Schulz
	10:30	HL 24.59	Zeemanspektroskopie an GaP:(Cr,S) — •E. Baars, A. Dörnen und W. Ulrici
	10:30	HL 24.60	Isotopieverschiebungen von Rotatorzuständen von interstitiellem Sauerstoff in Germanium — •K. La"smann, N. Aichele, U. Gommel, C. Linsenmaier, F. Maier, F. Zeller, E.E. Haller, K.M. Itoh, L.I. Khirunenko, B. Pajot, and H. Müssig
	10:30	HL 24.61	Dielektrische Resonanz an Beryllium-dotiertem Silicium — •H. Schroth, K. Laßmann, Chr. Borgmann und H. Bracht
	10:30	HL 24.62	Orientierungsabhängigkeit des Makroporenwachstums in n-Si — •Silke Rönnebeck, Stefan Ottow und Helmut Föll
	10:30	HL 24.63	Photolumineszenz und resonante Ramanspektroskopie an Siliziumfilmen, die durch größenselektierte Clusterstrahldeposition hergestellt wurden — •B. Kohn, M. Ehbrecht, F. Huisken, M.A. Laguna und V. Paillard
	10:30	HL 24.64	Zum Metall-Isolator-"Ubergang in ungeordneten zweidimensionalen Systemen — •L. Schweitzer, I. Kh. Zharekeshev, and M. Batsch
	10:30	HL 24.65	Spinaustausch und Lokalisation: Si:P am Metall-Isolator-Übergang — •M. Vidal, D. Reiser und G. Denninger
	10:30	HL 24.66	In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen zur Herstellung von GaAs-AlGaAs Quantendrähten — •S. Kramp, C. Klein, J. Lohse, Ch. Heyn, W. Hansen und D. Heitmann
	10:30	HL 24.67	Untersuchung von oberflächennahen Defekten in GaAs-Wafern nach Sägen des Einkristalls — •F. Börner, S. Eichler, A. Polity und R. Hammer
	10:30	HL 24.68	CVD deposition and 0 characterisation of highly conductive ZnO — •G. Heindel, B. Hahn, E. Griebl, E. Pschorr-Schoberer, M. Wörz, and W. Gebhardt
	10:30	HL 24.69	Charakterisierung von mikrokristallinem Dünnschichtsilizium für Solarzellen — •V. Schlosser, J. Andreu, J. Bertomeu, A. Breymesser, M. Nelhiebel, D. Peiro, V. Plunger, M. Ramadori und P. Schattschneider
	10:30	HL 24.70	Untersuchung des Ladungstransports in polykristallinen Solarzellen — •M. Ramadori, V. Plunger, V. Schlosser und J. Summhammer
	10:30	HL 24.71	Untersuchungen an mikrokristallinem Silizium für die Verwendung in Heterojunction Solarzellen — •Günter Grabosch, Dietmar Borchert und Reza Hussein
	10:30	HL 24.72	Silizium-Heterosolarzellen mit mikrokristalinem Emitter — •Dietmar Borchert, Günter Grabosch und Reza Hussein
	10:30	HL 24.73	Defektpassivierung in CuInSe2: Optische Untersuchungen an getemperten Dünnschichten — •Ingo Dirnstorfer, Detlev M. Hofmann, Dirk Meister, Franz Karg und Bruno K. Meyer
	10:30	HL 24.74	Zeitaufgelöste Photolumineszenz-Spektroskopie an CuIn(Ga)Se2 — •R. Weigand, B. Ohnesorge, G. Bacher, A. Forchel, W. Riedl und F. Karg
	10:30	HL 24.75	Ab initio-Untersuchung des Hochdruck-Phasen"ubergangs in Si von der Diamant- in die β-Zn-Phase — •K. Gaal-Nagy, M. Schmitt, K. Karch, and D. Strauch
	10:30	HL 24.76	Optische Phononen einer stark verspannten, niederdimensionalen InAs-Schicht in GaAs — •S. Reich, A. R. Goñi, A. Litvinchuk, C. Thomsen, F. Heinrichsdorff, A. Krost und D. Bimberg
	10:30	HL 24.77	Temperaturabh"angigkeit der Raman-Frequenz von Diamant, Silizium und Germanium — •G. Lang, K. Karch, M. Schmitt, P. Pavone, R.K. Wehner, A.P. Mayer, and D. Strauch
	10:30	HL 24.78	Untersuchung von Isotopeneffekten in SiC-Kristallen mittels Ramanstreuung — •F. Widulle, T. Ruf, O. Buresch und M. Cardona
	10:30	HL 24.79	IC- und GC-DFB-Laser im Materialsystem GaInAs(P)/InP — •J. Wiedmann, R. Schreiner, M. Geiger, J. Porsche, M. Jetter, J.L. Gentner, F. Scholz, and H. Schweizer
	10:30	HL 24.80	Untersuchungen an oberfl"achen-emittierenden Lasern (VCSEL) f"ur den roten Spektralbereich — •J. Schwarz, R. Winterhoff, F. Scholz, and H. Schweizer
	10:30	HL 24.81	Nahfeldmikroskopische Untersuchungen an Halbleiterlasern — •Alexander Richter, Jens W. Tomm und Christoph Lienau
	10:30	HL 24.82	Lasereigenschaften einer extrem dünnen InAs-Schicht eingebettet in GaAs — •M. Stroh, A.R. Goñi, C. Thomsen, F. Heinrichsdorff, V. Türck, A. Krost und D. Bimberg
	10:30	HL 24.83	Dynamisches Verhalten des Halbleiterlasers im Grenzbereich zu Instabilitäten — •D. Preißer und O. Hess
	10:30	HL 24.84	Lateral strukturierte Ga(Al)Sb basierende Mikroresonatoren — •J. Koeth, T. Bleuel, R. Dietrich, R. Werner und A. Forchel
	10:30	HL 24.85	Charakterisierung von Zn-Ge-As-Verbindungen mittels Elektroreflexion — •M. Angelov, R. Goldhahn, G. Gobsch und S. Schön
	10:30	HL 24.86	Elektronendichte tern"arer I-III-VI-Halbleiter — •Roland Spengler, Ali Shaukat, Hans Burzlaff, and Helmuth Zimmermann
	10:30	HL 24.87	Wachstum von GaN und AlGaN mittels Hochtemperatur Gasphasenepitaxie — •Martin Theis, Stefan Fischer, Guido Steude, Ferdinand Anders, Friedrich Kurth, Detlev M. Hofmann und Bruno K. Meyer
	10:30	HL 24.88	In situ Raman-Untersuchung des Wachstums von C60 Schichten auf GaAs(100), Si(100), Si(111) und Au — •R. Kaiser, T. Werninghaus, D. Drews, and D.R.T. Zahn
	10:30	HL 24.89	Elektrische Eigenschaften von polykristallinen Co-dotierten MOCVD-FeS2-Schichten — •J. Oertel, K. Ellmer, W. Bohne und J. Röhrich
	10:30	HL 24.90	Herstellung und Charakterisierung halbleitender Ru2Si3-Schichten — •D. Lenssen, H.L. Bay, St. Mesters, R. Carius und S. Mantl
	10:30	HL 24.91	Wachstum epitaktischer Siloxenschichten — •G. A. Vogg, M. S. Brandt und M. Stutzmann
	10:30	HL 24.92	Herstellung von Hallsensoren im GaSb/InAs Materialsystem — •Michael Ritz, Roland Gessner, Manfred Druminski und Harald Heinecke
	10:30	HL 24.93	Electronic structure of FeS2 : The crucial role of electron-lattice interaction — •V. Eyert, K.-H. Höck, S. Fiechter, and H. Tributsch
	10:30	HL 24.94	Effekte der mittleren Dicke im Magnetfeld-induzierten, quasi zweidimensionalen Wigner-Kristall — •G. MEISSNER und S. SCHAAF
	10:30	HL 24.95	An Alternative Full-Potential ELAPW Method — •F. Starrost, E. E. Krasovskii, and W. Schattke
	10:30	HL 24.96	Cetineite: Elektronische und optische Eigenschaften einer neuen Familie nanoporöser Materialien — •F. Starrost, C. Ramirez, E. E. Krasovskii, W. Schattke, X. Wang, F. Liebau, J. Jockel und U. Simon
	10:30	HL 24.97	Exzitonische Effekte in zwei- und dreidimensionalen Magnetopolaronen — •I. Himberg und B. Gerlach
	10:30	HL 24.98	Paramagnetische Störstellen in Si nach Implantation von Pd — •Alexander Näser, Wolfgang Gehlhoff und Rossen A. Yankov
	10:30	HL 24.99	Elektrische Eigenschaften von Sauerstoff-implantiertem Siliciumkarbid — •Thomas Dalibor, Gerhard Pensl, Tsunenobu Kimoto und Hiroyuki Matsunami
	10:30	HL 24.100	SiC-Dünnschichtherstellung mittels Laser-Ablation und Laser-CVD — •Jens Meinschien, Marco Diegel, Fritz Falk und Herbert Stafast
	10:30	HL 24.101	Photolumineszenz von Mg–dotierten kubischen GaN–Schichten — •Th. Simonsmeier, D.J. As, B. Schöttker, D. Schikora und K. Lischka
	10:30	HL 24.102	Diffusion in ZnSe-basierten Heterostrukturen und lateral indexgeführte Laser — •M. Straßburg, M. Kuttler, O. Stier, V. Türck, U.W. Pohl, D. Bimberg, M. Behringer und D. Hommel
	10:30	HL 24.103	EPR-Untersuchungen an Cd-korrelierten Störstellen in Si — •Alexander Näser, Wolfgang Gehlhoff, Manfred Lang und Gerd Pensl
	10:30	HL 24.104	Einfluss der Form von Elektronenbilliards auf die Symmetrie der Leitfähigkeit — •Heiner Linke, Pär Omling, Hongqi Xu und Poul-Erik Lindelof
	10:30	HL 24.105	Elektronenholographische Untersuchung von submikrometer MOSFET-Strukturen. — •Wolf-Dieter Rau
	10:30	HL 24.106	Ein neuer Zugang zur Theorie des Landau-Pekar-Polarons — •Jörg Röseler, Michael Hartmann, and Klaus-Ulrich Neumann
	10:30	HL 24.107	Selbstorganisation beim SiC-Schichtwachstum auf Si(001) durch Koverdampfung — •Eberhard Bugiel, Hans Jörg Osten und Peter Zaumseil
	10:30	HL 24.108	Elektron-Elektron und Elektron-Phonon-Quantenkinetik in Quantendrähten — •T. Wolterink, M. Herbst, V.M. Axt und T. Kuhn
	10:30	HL 24.109	Gainmechanismen in II-VI Strukturen mit exzitonischer Wellenführung — •Martin Straßburg, Igor L. Krestnikov, Nikolai N. Ledentsov, Axel Hoffmann und Immanuel Broser
	10:30	HL 24.110	Herstellung von MnAs-Schichten mittels Molekularstrahlepitaxie und ihre strukturelle Charakterisierung — •Frank Schippan; J.Takemura, P.Schützendübe, B.Jenichen, L.Däweritz, K.H.Ploog
	10:30	HL 24.111	Self-diffusion in SiC — •L. Torpo L. Torpo, M. Kaukonen, R. M. Nieminen and T. Frauenheim
	10:30	HL 24.112	Polarisationsaufgelöste nahfeldoptische Untersuchungen oberflächenemittierender Laserdioden (VCSEL) — •M. Fischer, P. Spizig, O. Hollricher und O. Marti
	10:30	HL 24.113	Nachweis flacher pn-Übergänge im Si mit dem STM — •Hans-Joachim Müssig, Jarek Dabrowski, Roland Nuffer und Silvia Hinrich
	10:30	HL 24.114	TEM- Untersuchungen zur strukturellen Qualität von II-VI-Laserstrukturen — •I. Leiteritz, M. Behringer, A. Isemann, H. Selke, D. Hommel, K. Ohkawa und P.L. Ryder
	10:30	HL 24.115	Kontaktlose Charakterisierung von a-Si/c-Si Heteroübergängen — •J. Löffler, S. von Aichberger, H. Feist und M. Kunst
	10:30	HL 24.116	Exziton-LO-Phonon Quantenkinetik im Regime starker Fr"ohlichkopplung — •D. Steinbach, G. Kocherscheidt, M. Wegener, M. Kraushaar, H. Kalt, K. Ohkawa, and D. Hommel
	10:30	HL 24.117	Kohärente Kontrolle von Elektron-LO-Phonon Streuprozessen — •M. U. Wehner, M. H. Ulm, D. S. Chemla und M. Wegener
	10:30	HL 24.118	Vierwellenmischen mit Vorpuls an ZnSe/ZnMgSSe Mehrfachquantenfilmen — •S. Wachter, D. Lüerßen, J. Hoffmann, H. Kalt, F. Gindele, T. Reimann, K. Ohkawa und D. Hommel
	10:30	HL 24.119	Bestimmung der mikroskopischen Bloch-Oszillationsamplitude mittels THz-Emission — •S. Tolk, R. Martini, F. Wolter, H. T. Grahn, R. Hey, P. Haring Bolivar, and H. Kurz
	10:30	HL 24.120	Dynamik kalter Exzitonen in Cu2O — •L. Hanke, D. Fröhlich, J. Uhlenhut und H. Stolz
	10:30	HL 24.121	Selbstinduzierte Transparenz an gebundenen Exzitonen in CdS — •M. Jütte, H. Stolz und W. von der Osten
	10:30	HL 24.122	Phasenaufgelöste Polariton-Pulspropagation in GaAs — •J.S. Nägerl, B.A. Stabenau, T. Reker, G. Böhne und R.G. Ulbrich
	10:30	HL 24.123	Erhöhung der spektralen Empfindlichkeit photoleitender Terahertzempfänger für Frequenzen oberhalb von 2THz — •Ingrid Wilke
	10:30	HL 24.124	Energiespektrum von Halbleiter-Übergitterstrukturen mit breiten Quantentöpfen — •H. Kümmel, R. Till, A. Philipp, G. Böhm und G. Weimann
	10:30	HL 24.125	FIR-Spektroskopie an Quantenpunktgittern mit Top- und Sidegate — •M. Hochgräfe, R. Krahne, T. Kurth, C. Heyn und D. Heitmann
	10:30	HL 24.126	Temperaturabh"angigkeit der effektiven 2D-Elektronenmasse in GaAs/AlGaAs-HEMT-Strukturen aus Messungen der Magneto-Phonon-Resonanz f"ur T≤400 K — •Ch. Keilhack, S. Krull, D. Schneider, and O. P. Hansen
	10:30	HL 24.127	Feldinduzierte optische Effekte in parabolischen GaAs/AlGaAs-Quantentopfstrukturen — •U. Klütz, W. Geißelbrecht, U. Sahr, G.H. Döhler, K. Maranowski, K. Campman und A.C. Gossard
	10:30	HL 24.128	Herstellung, Präparation und Spektroskopie an modulationsdotierten parabolischen Quantumwells — •S. Bargstädt–Franke, Ch. Heyn und W. Hansen
	10:30	HL 24.129	Obere und untere Schranken für die Exzitonbindungsenergie in Quantum Wells — •Joachim Wüsthoff, Bernd Gerlach, Mikhail A. Smondyrev und Maxim O. Dzero
	10:30	HL 24.130	Die Grundzustandsenergie des Exziton-(LO)-Phonon-Systems in Quantum Wells — •Joachim Wüsthoff, Bernd Gerlach und Mikhail A. Smondyrev
	10:30	HL 24.131	Ortsaufgelöste Photolumineszenz von (001)- und (113)A-GaAs/ AlAs Übergittern im Vergleich — •A. Oehler, D. Lüerßen und H. Kalt
	10:30	HL 24.132	Direkte ESR an zweidimensionalen Elektronengasen in den Systemen Si/Si1−yCy und SiGe — •C. Weinzierl, N. Nestle, H.-J. Kümmerer und G. Denninger
	10:30	HL 24.133	Herstellung und Charakterisierung von CoSi2/Si-Heterostrukturen für die Nanostrukturierung mittels lokaler Oxidation — •L. Kappius, F. Klinkhammer, St. Mesters und S. Mantl
	10:30	HL 24.134	Der Beitrag von Mini-Umklapp-Prozessen zur W"armeleitf"ahigkeit periodischer "Ubergitter — •M. Schmitt, A.P. Mayer, and D. Strauch
	10:30	HL 24.135	SPEKTROSKOPIE GEKOPPELTER ELEKTRONENSYSTEME IN ULTRADÜNNEN FREITRAGENDEN HALBLEITERSCHICHTSYSTEMEN — •F. Hastreiter, M. Hartung, A. Wixforth, K.L. Campman und A.C. Gossard
	10:30	HL 24.136	Wechselwirkung akustischer Oberflächenwellen mit einem periodisch modulierten 2DEG — •Yu.A. Kosevich, C. Eckl und A.P. Mayer
	10:30	HL 24.137	Bloch oscillations and dc magnetotransport in biased superlattices in a strong magnetic field — •Yu. A. Kosevich
	10:30	HL 24.138	Defektspektroskopie an Heteroübergängen aus (n)-amorphem/ (p)-kristallinem Silizium — •M. Rösch, R. Pointmayer, T. Unold und G.H. Bauer
	10:30	HL 24.139	Untersuchung des Landaugaps eines zweidimensionalen Elektronensystems mit Kapazitäts- und Ferninfrarotspektroskopie — •K. Esmark, D. Schmerek, T. Kurth, Ch. Heyn, S. Bargst"adt–Franke, and W. Hansen
	10:30	HL 24.140	Direkte Messung des Spin Gaps des zweidimensionalen Elektronengases in AlGaAs-GaAs Heterostrukturen — •D. Schmerek, V. T. Dolgopolov, A. A. Shashkin, A. V. Aristov, J. Henkmann, W. Hansen, J. P. Kotthaus, and M. Holland
	10:30	HL 24.141	Cyclotron Resonance Lineshapes in HgSe:Fe-QWs with a Multi-Subband Population — •Oliver Portugall, Martin Barczewski, Michael von Ortenberg, Thorsten Widmer, Detlef Schikora, and Herbert Lischka
	10:30	HL 24.142	Microscopic-scale lateral inhomogeneities in Schottky barriers — •S. Heun, Th. Schmidt, J. Slezak, J. Diaz, K.C. Prince, B. Müller, and A. Franciosi