Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.34: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
a-Si1−xCx:H Dünnschichten als Szintillatorfläche in UV-Sensoren — •J. Seekamp1, O. Liepelt1, J. Henneberg1, B. Wicht2, J. Niemann1 und W. Bauhofer1 — 1Arbeitsbereich Materialien der Mikroelektronik, Technische Universität Hamburg-Harburg, D-21071 Hamburg — 2AMZ Hamburg GmbH, Harburger Schloßstrasse 6-12, D-21079 Hamburg
a-Si1−xCx:H Dünnschichten mit hohem
Kohlenstoffgehalt (x>0.6), abgeschieden
in einem PECVD Prozeß aus flüssigen Organosilanen, zeigen eine
Photolumineszenz bei 2,4eV bis 2,75eV, d.h. im blauen und grünen
Spektralbereich, die mit maximaler Effizienz im Ultravioletten angeregt
wird.
Das in den Dünnschichten entstandene PL-Licht wird in der Schicht
kaum absorbiert. Die Filme eignen sich mithin als Wellenleiter für
Szintillationsdetektoren.
In diesem Beitrag werden neben den Eigenschaften der von uns
untersuchten Schichten zwei Typen integrierter UV-Sensoren vorgestellt
und charakterisiert. Die erste Art Sensoren hat dabei Abmessungen in der
Grössenordnung Millimeter und arbeitet mit den im Arbeitsbereich
hergestellten a-Si1−xCx:H Dünnschichten. Der zweite Typ nutzt
als Szintillationsfilm den ebenfalls aus Organosilanen abgeschiedenen
Isolator zwischen den beiden Metallagen eines Standard-0,8µm-
BiCMOS-ASIC-Prozesses und ist zusammen mit einem Verstärker integriert.