Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.23: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Untersuchung von Ordnungsphänomenen in ternären Verbindungshalbleitern mittels Cross-Sectional Rastertunnelmikroskopie — •A. J. Heinrich, M. Wenderoth, T. C. G. Reusch und R. G. Ulbrich — IV.Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, D-37073 Göttingen

Mit Metall Organischer Gasphasen Epitaxie (MOVPE) hergestellte Heterostrukturen aus GaAs, Al_0.2Ga_0.8As und GaInP₂ wurden mit Cross-Sectional Rastertunnelmikroskopie untersucht. Im AlGaAs finden wir große homogene Bereiche mit typischen Durchmessern von 2-5nm, die eine geringe Al-Konzentration aufweisen. Dazwischen findet man Al-reiche Bereiche, die sich bevorzugt entlang [112] und [112] ausrichten und mit einem Modell von AlAs Plättchen auf {111} Ebenen erklärt werden können. In GaInP₂ konnten wir das natürliche Übergitter als abwechselnde Reihen von Phosphoratomen mit erhöhter beziehungsweise reduzierter lokaler Zustandsdichte in Messungen der besetzten Zustände abbilden. Dieser Kontrast kann mit dem weithin akzeptierten Modell der CuPt_B Ordnung mit einem makroskopischen Ordnungsparameter von η = 0.42 beschrieben werden. Darüber hinaus finden wir eine längerreichweitige Modulation mit einer Wellenlänge von typisch 4nm. Bei einem Vergleich der Grenzflächen zwischen GaInP₂ und GaAs konnten wir eine hohe Defektdichte im GaAs nachweisen, welches auf GaInP₂ gewachsen wurde. Im Gegensatz dazu bildet sich die Grenzfläche von GaInP₂ auf GaAs atomar scharf aus.