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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.14: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Ortsaufgelöste Photolumineszenz-Messungen an lateralen InGaAsP-Strukturen bei tiefen Temperaturen — •Ralf Schönfelder, Klaus Thonke, Martin Wachter und Rolf Sauer — Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, 89069 Ulm

Wir stellen ortsaufgelöste Tieftemperatur-PL-Messungen an epitaktisch erhaben gewachsenen InGaAsP-Strukturen auf unterschiedlich orientierten InP-Substraten vor. Die Messungen zeigen eine erhöhte spektrale Auflösung wie auch eine verbesserte Ortsauflösung gegenüber Standard-Mikro-PL-Messungen bei Raumtemperatur. Im Bereich senkrechter Facetten lassen sich anhand von Linienverschiebungen Kompositionsänderungen nachweisen, die mit elektronenmikroskopisch beobachteten Dickenfluktuationen korrelieren.
Kernstück der verwendeten Apparatu ist ein Mikroskopobjektiv hoher numerischer Apertur und eine xy-Verschiebeeinheit, die beide innerhalb eines He-Badkryostaten angebracht werden. Durch die Verwendung eines konfokalen Aufbaus konnte eine Ortsauflösung besser als 1 µm erreicht werden.