Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.4: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
Ortsaufgelöste Raumtemperatur Photolumineszenz von GaAs und AlGaAs — •G. Letay, F. Dimroth, O. Sulima und A. W. Bett — Fraunhofer Institut für Solare Energiesysteme, Oltmannsstr.5, 79100 Freiburg
Ortsaufgelöste Raumtemperatur Photolumineszenz wird am Fraunhofer ISE zur zerstörungsfreien Charakterisierung von GaAs- und AlGaAs-Schichten eingesetzt. Hierbei dienen wahlweise ein HeNe- oder Ar-Laser als Anregungsquelle. Das PL-Licht wird durch einen Gittermonochromator zerlegt und über eine CCD-Kamera ausgelesen. So ist es möglich, das gesamte PL-Spektrum eines Punktes der Probe in einem Bereich von 160 nm auf einmal aufzunehmen. Mit Hilfe des PCs werden die Spektren der einzelnen Punkte erfaßt und für jeden Punkt die Lage des PL-Peaks (Wellenlänge und Intensität) bestimmt. Durch diese Meßanordnung ist das Erstellen von Intensitäts- und Wellenlängen-Topographien (100 x 100 Punkte) in etwa 30 Minuten möglich. Es wird gezeigt, daß mit Hilfe der Wellenlängen-Topographie die Unterscheidung zwischen p- und n-dotierten Material aufgrund des Burstein-Moss-Effekts und Bandgap-narrowing-Effekts möglich ist. Zusätzlich können laterale Inhomogenitäten in der Dotierung von GaAs-Strukturen im Bereich von 1017 − 5 · 1018 cm−3 sichtbar gemacht werden. Bei ternären Schichtsystemen wie AlGaAs erlaubt die PL-Wellenlängen-Topographie Rückschlüsse auf die Bandstruktur. Die PL-Intensitäts-Topographien werden genutzt, um Solarzellen zu charakterisieren.