Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.90: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
Herstellung und Charakterisierung halbleitender Ru2Si3-Schichten — •D. Lenssen, H.L. Bay, St. Mesters, R. Carius und S. Mantl — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich
Neue Bandstrukturrechnungen zeigen, daß Rutheniumsilizid (Ru2Si3) ein Halbleiter mit direkter Bandlücke ist [1]. Elektrische Messungen belegen, daß sie im technologisch interessanten Bereich um 0,8 eV liegt. Dies eröffnet neue Perspektiven zur Herstellung siliziumbasierender aktiver Bauelemente, insb. Leuchtdioden. Wir präsentieren erste Ergebnisse der Herstellung dünner Ru2Si3-Schichten auf Si(100) und Si(111) mit Hilfe der Template-Methode, einem speziellen Molekularstrahlepitaxieverfahren. Dabei wird zunächst eine dünne Schicht Ruthenium aufgedampft. Diese wird in situ getempert, sodaß eine dünne Ru2Si3-Oberflächenschicht entsteht. Anschließend wird durch Koverdampfung von Ruthenium und Silizium im stöchiometrischen Verhältnis die eigentliche Schicht aufgewachsen. Untersucht wurden die Schichten u.a. mittels Rutherford Rückstreuung und Channeling (RBS/C), Röntgenbeugung und Transmissionselektronenmikroskopie.
[1] W. Wolf, G. Bihlmayer and S. Blügel, Phys. Rev. B 55, 6918 (1997)