Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.31: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
Eigenschaften von a-Si1−x Cx:(O,H)–Dünnfilmen hergestellt aus Triethylsilan — •J. Niemann und W. Bauhofer — AB Materialien der Mikroelektronik, TU Hamburg–Harburg, Martin–Leuschel–Ring 16, D–21071 Hamburg
a-Si1−x Cx:(O,H)–Filme, die in einem PECVD–Prozeß aus
flüssigen Organosilanen hergestellt wurden, zeigen eine Reihe
physikalisch
und technologisch interessanter Eigenschaften, z.B. UV–angeregte PL,
geringe Selbstabsorption im Bereich der sichtbaren Lumineszenz
[1].
Wir haben in einem konventionellen 13,56 MHz PECVD–Reaktor amorphe
Dünnfilme aus dem Organosilan Triethylsilan (TrES) hergestellt. Die
Eigenschaften dieser Schichten werden mit verschiedenen physikalischen
Methoden (z.B. FTIR–Spektroskopie, optische Transmission, PL–und
PLAS–Messungen,
Brechungsindex–und Dämpfungsmessungen an Dünnfilmwellenleitern)
untersucht. Außerdem sollen die Eigenschaften dieser Filme mit
Schichten verglichen werden, die
aus anderen Organosilanen ( z.B. Hexamethyldisilazan (HMDSN),
Hexamethyldisilan (HMDS) ) abgeschieden wurden.
Bei hinreichend großem Brechungsindex und geringer Dämpfung
können Dünnfilme aus TrES als Wellenleitermaterial für
integrierte UV–Detektoren auf Si–Substraten verwendet werden.
[1] D. Rüter, S. Rolf, W. Bauhofer, Appl. Phys. Lett., 67(2), 1, 1995