Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.52: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
Stöchiometriebedingte Bildung von Leerstellen in GaAs — •J. Gebauer, R. Krause-Rehberg und M. Lausmann — Fachbereich Physik, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, D-06099 Halle
Jede Abweichung eines GaAs-Kristalls von der idealen Stöchiometrie muß durch native Defekte realisiert werden. Dabei sind grundlegende Fragen wie die dabei dominierende Fehlordnung und die Konzentration von nativen Defekten bei variierender Stöchiomtrie nicht schlüssig geklärt. In dieser Arbeit wird die Bildung von Leerstellen in Te-dotiertem GaAs (1,6×1018 cm−3) mit der Methode der Positronenannihilation untersucht. Die Änderung der Stöchiometrie von GaAs kann durch Temperung bei hohen Temperaturen unter definiertem As-Dampfdruck (pAs) bewirkt werden. Es wird gezeigt, daß sich die Leerstellendichte durch Temperung unter gegebenen pAs definiert einstellen läßt. Die Leerstellendichte ist positiv mit pAs korreliert: bei hohem Druck (pAs≈2 Bar, also As-reiche Stöchiometrie) wird eine höhere Leerstellendichte als bei niedrigem Druck gefunden. Die gebildeten Leerstellen sind deshalb Ga-Leerstellen. Dieses Ergebnis stimmt mit theoretischen Rechnungen überein, nach denen die Ga-Leerstelle wegen ihrer geringen Bildungsenergie in As-reichem, n-leitendem GaAs der dominierende Defekt ist. Die beobachteten Leerstellendichten sind in guter quantitativer Übereinstimmung mit den Ergebnissen dieser Rechnungen.