Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.114: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

TEM- Untersuchungen zur strukturellen Qualität von II-VI-Laserstrukturen — •I. Leiteritz¹, M. Behringer², A. Isemann², H. Selke¹, D. Hommel², K. Ohkawa² und P.L. Ryder¹ — ¹Institut für Werkstoffphysik und Strukturforschung, Kufsteiner Str. NW1, Universität Bremen, D-28359 Bremen — ²Institut für Festkörperphysik, Kufsteiner Str. NW1, Universität Bremen, D-28359 Bremen

In Bremen hergestellte ZnSe-Laserdioden unterscheiden sich stark in ihren Lebensdauern. Während einige nur gepulst betrieben werden können, zeigen andere selbst im Dauerstrichbetrieb bei Raumtemperatur Lebensdauern von bis zu 15 Sekunden. Die stark differierenden Lebensdauern korrelieren mit der Defektdichte der mit MBE-gewachsenen Strukturen. Voruntersuchungen zeigen, daß es sich bei den Defekten hauptsächlich um Stapelfehler handelt, die an oder in unmittelbarer Nähe der ZnSe/GaAs-Heterogrenzfläche entstehen. Aufgrund der großen Bedeutung des Wachstumstarts für die strukturelle Qualität und damit für die Lebensdauer der Laser- struktur, wurde sowohl der Einfluß der Flußverhältnisse von Zink und Selen beim Wachstumsstart der MBE, als auch der Effekt des migration enhanced epitaxy (MEE)-Modus auf die Defektdichte mit Hilfe der Transmissions-Elektronenmikroskopie (TEM) syste- matisch untersucht. Während selenreiche Wachstumsstarts zu einer hohen Dichte von Stapelfehlern und Versetzungen führen, zeigen Strukturen, deren Wachstum mit Zink mit Hilfe der MEE initiiert wurden, weitaus geringere Defektdichten.