Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.69: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Charakterisierung von mikrokristallinem Dünnschichtsilizium für Solarzellen — •V. Schlosser¹, J. Andreu², J. Bertomeu², A. Breymesser¹, M. Nelhiebel³, D. Peiro², V. Plunger¹, M. Ramadori¹ und P. Schattschneider³ — ¹Institut für Materialphysik, Universität Wien, Strudlhofgasse 4, A-1090 Wien, Österreich — ²Universitat de Barcelona, Spanien — ³Institut für Angewandte und Technische Physik, TU Wien, Österreich

In der Photovoltaikforschung erhält Dünnschichtsilizium einen immer höheren Stellenwert, da die Herstellung von Solarzellen auf Dünnschichtbasis Kostenvorteile gegenüber kristallinen Solarzellen verspricht. Die Qualität und Eignung dieser dünnen Schichten wird mittels optischer und elektrischer Methoden untersucht. Die Messungen beinhalten die Bestimmung des Reflexionsvermögens, der Quantenausbeute und Diffusionslängen, transiente Detektion von tiefen Störstellen im verbotenen Band, Atomic Force Mikroskopie zur Abbildung der Schichtstruktur, Leitfähigkeitsmessungen und Elektronenenergieverlustspektrometrie zur Feststellung von Fremdatomen mit hoher Ortsauflösung. Die Resultate sollen zu einer Optimierung des Abscheideprozesses dieser Siliziumdünnschichten führen.