Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.15: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
Herstellung dünner AlN-Schichten auf NiAl(110) mittels thermischer Ammoniak-Zersetzung — •F. Baur, G. Schmitz, E. Rokuta, Ch. Oshima und R. Franchy — IGV-Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich
Durch thermische Zersetzung von Ammoniak (NH3) konnten auf der NiAl(110)-Oberfläche dünne, wohlgeordnete Aluminiumnitrid-Schichten hergestellt werden. Die Schichten wurden mit LEED, EEL- und AE-Spektroskopie untersucht. Die Bildung der dünnen AlN-Filme erfolgte durch Ammoniak-Adsorption auf dem NiAl(110)-Substrat bei einer Temperatur von 80 K und anschließendem Anlassen auf ca. 1300 K. Die EEL-Spektren zeigen eine Fuchs-Kliewer(FK)-Mode mit entsprechenden Mehrfachverlusten. Die Messungen ergaben eine Frequenzabhängigkeit der FK-Mode von der Bedeckung und eine Konvergenz der Frequenz gegen 865 cm−1 ± 2 cm−1 für große Bedeckungen. Die Frequenz der Mode steht im Einklang mit den Beobachtungen an AlN/NiAl(001) und AlN/NiAl(111) [1] und mit auf der dielektrischen Theorie basierenden Rechnungen für AlN. Aufgrund der im LEED beobachteten hexagonalen Beugungsstruktur konnten die präparierten Schichten als Wurtzitmodifikation des AlN identifiziert werden. Die Bandlücke des AlN wurde mit EELS zu 6,0 eV ± 0,3 eV bestimmt und gleicht damit den Werten von [1].
[1] P. Gassmann, G. Schmitz, J. Boysen, F. Bartolucci, and R. Franchy, J. Vac. Sci. Technol. A 14(3), 813 (1996)