Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.26: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Untersuchung der Amorphisierung von III/V Halbleitern durch Implantation — •P. Friedsam, K. Freitag, M. Forker und R. Vianden — Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn, Nußallee 14- 16, D-53115

Mit Hilfe der PAC-Messmethode wird versucht ein Modell für die stukturelle Nahordnung amorpher Festkörper zu gewinnen. Dabei ist es unumgänglich für die Messmethode geeignete Sondenatome in den Festkörper einzubringen. Im allgemeinen verwendet man dazu das Verfahren der Implantation, wobei der Einfluß von Strahlenschäden in den so behandelten amorphen Materialien bisher noch weitgehend ungeklärt ist. Gemessene Spektren mit der Sonde ¹¹¹In(¹¹¹Cd) in diversen amorphen Materialien zeigten weitgehend einen ähnlichen Verlauf, verglichen mit Spektren, die man direkt nach Implantation der Sonde in verschieden III/V Halbleitern erhält. Es wurde daher ¹¹¹In(¹¹¹Cd) mit identischer Ionendosis in InP, InAs und InSb implantiert, da diese Halbleiter schon bei geringer Implantationsdosis dazu neigen an ihrer Oberfläche zu amorphisieren. Durch die Variation des Gruppe V-Elementes sollte gleichzeitig der Einfluß der Größe der Nachbaratome auf die Umgebung der Sonde untersucht werden. Dazu diente auch der Vergleich mit der Implantation der Sonde in GaN. Die gemessenen as-implanted PAC-Spektren weisen untereinander deutliche Unterschiede auf. Die Ergebnisse werden vorgestellt, mit Messungen in amorphen Festkörpern verglichen und diskutiert. Gefördert durch SFB408.