Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.66: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen zur Herstellung von GaAs-AlGaAs Quantendrähten — •S. Kramp, C. Klein, J. Lohse, Ch. Heyn, W. Hansen und D. Heitmann — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg

Bei der lateralen Nanostrukturierung von Quantensystemen auf der Basis von GaAs-AlGaAs Heterostrukturen treten bei ex-situ Trockenätzverfahren Oberflächenzustände auf. Diese führen zu Verarmungszonen für Ladungsträger und zu nichtstrahlenden Rekombinationszentren für Exzitonen. Im von uns verfolgten Verfahren wird das Quantensystem auch lateral durch epitaktisch hergestellte Barrieren eingeschlossen, wodurch der Einfluß der kritischen Oberfläche stark vermindert wird. Zentrale Bedeutung hat bei dem Verfahren ein CAIBE (chemical asssisted ion beam etching) Prozeß, der in einer an eine Molekularstrahlepitaxieanlage adaptierten Prozeßkammer durchgeführt wird, und das darauf folgende Abscheiden epitaktischer Schichten auf die angeätzte Oberfläche. Es werden Ätzprofiluntersuchungen und Charakterisierungen von 2 DEG an geätzten Grenzflächen vorgestellt und die elektrischen Eigenschaften von in-situ geätzten und überwachsenen Quantendrähten im Vergleich zu nicht überwachsenen Drähten gezeigt.