Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.3: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

HRTEM-Untersuchung von In_xGa_1−xAs/GaAs(001) - Inselstrukturen — •U. Fischer¹, A. Rosenauer¹, T. Remmele¹, D. Ger-thsen¹ und A. Förster² — ¹Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, Kaiserstr. 12, D-76128 Karlsruhe — ²Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

In diesem Beitrag wird die lokale In-Konzentration x von MBE-gewach-senen In_xGa_1−xAs/GaAs(001) - Inselstrukturen mittels hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) bestimmt.

Mit Hilfe des Verfahrens DALI (Digital Analysis of Lattice Images) wird das Verzerrungsfeld im Inselbereich aus der HRTEM - Gitterabbildung ermittelt und mit Finite-Element (FE) Simulationen verglichen. Zur FE - Modellierung muß die Probendicke in Durchstrahlungsrichtung bestimmt werden. Hierzu werden die von Kisielowski et al. vorgeschlagene Methode QUANTITEM zur relativen Dickenbestimmung sowie die Betrachtung von lokalen Fourierkoeffizienten zur Nullpunktseichung verwendet. Die Projektion des durch die FE-Simulation gewonnenen räumlichen Verschiebungsfeldes in Durchstrahlungsrichtung ergibt ein mit der HRTEM-Aufnahme vergleichbares Feld. Durch sukzessives Ändern der lokalen In - Konzentraion der FE-Simulation erhält man bei Übereinstimmung der Verschiebungsfelder das In - Konzentrationsprofil der Insel.

Die Untersuchungen geben Hinweis auf Segregation von In wärend der Zucht, da dessen Konzentration von der nominell eingestellten signifikant abweicht.