Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.109: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
Gainmechanismen in II-VI Strukturen mit exzitonischer Wellenführung — •Martin Straßburg1, Igor L. Krestnikov2, Nikolai N. Ledentsov2, Axel Hoffmann1 und Immanuel Broser1 — 1Institut für Festkörperphysik, TU Berlin — 2Ioffe-Institute, St. Petersburg, Rußland
Strukturen mit exzitonischer Wellenführung zeigen eine starke exzitonische Absorption im aktiven Bereich. Das führt zu einer Erhöhung des Brechungsindexes auf der niederenergetischen Seite der exzitonischen Resonanz. Durch das Wachstum von CdSe- Submonolagen in einer ZnSe- basierten Matrix wird eine Struktur erzeugt, die eine effiziente Wellenführung ohne großen Unterschied der mittleren Brechungsindizees der aktiven und der cladding Schichten ermöglicht. Untersuchungen bei tiefen und bei Raumtemperatur zeigten, daß die Mechanismen des optischen Gewinns sehr stark vom Grad der vertikalen, elektronischen Kopplung der Ladungsträger, die an den durch das Submonolagen- Wachstum generierten nanoskopischen Inseln (Durchmesser 4 nm) lokalisiert sind, abhängen. Ab einer 3 nm dicken Seperationsschicht zwischen den Submonolagen setzt eine nachweisbare vertikale Kopplung der nanoskopischen Inseln ein, wodurch der durch an den ungekoppelten Inseln rekombinierenden Exzitonen und Biexzitonen generierte optische Gewinn zugunsten der vertikal gekoppelten Zustände abnimmt.