Regensburg 1998 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.133: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Herstellung und Charakterisierung von CoSi₂/Si-Heterostrukturen für die Nanostrukturierung mittels lokaler Oxidation — •L. Kappius, F. Klinkhammer, St. Mesters und S. Mantl — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich

Mit Hilfe der Molekularstrahlallotaxie wurden dünne Kobaltdisilizid-Oberflächenschichten (10 - 30 nm) auf Si(100) und Si(111) hergestellt Die Schichten wurden mittels Rutherford- Rückstreuung (RBS), Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und Schichtwiderstandsmessungen charakterisiert. Die hohe thermische Belastbarkeit von bis zu 1200^∘C erlaubt es, die Schichten durch lokale Oxidation zu strukturieren. Bei diesem Verfahren wird Siliziumnitrid auf die Silizidschicht abgeschieden und mittels optischer Lithographie strukturiert. Bei Temperaturen von 900^∘C bis 1000^∘C wird auf den ungeschützten Stellen des Silizids SiO₂ gebildet. Die freigesetzten Co-Atome diffundieren an die untere CoSi₂/Si-Grenzfläche, um dort wieder CoSi₂ zu bilden. Unter den Kanten der Nitrdimaske dünnt die Schicht aus und trennt auf. Auf diese Weise können Nanostrukturen in der Silizidschicht mit sehr kleinen Abständen von bis zu 70 nm erzeugt werden.