Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.32: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Dunkel- und Photoleitung in mikrokristallinem Silizium. — •M. Rojahn und R. Brüggemann — Fachbereich Physik, Carl von Ossietzky Universität Oldenburg, 26111 Oldenburg

In den letzten Jahren ist das Interesse sowohl an optoelektronischen Anwendungen als auch an Untersuchungen zum physikalischen Verständnis von mikrokristallinem Silizium (µ c-Si) gestiegen. Im Vordergrund dieses Beitrages steht die Untersuchung zur Temperaturabhängigkeit der Beweglichkeits-Lebensdauer-Produkte (µτ) sowie der Dunkelleitfähigkeit von µ c-Si aus heißdrahtunterstützter Chemical Vapour Deposition. Starke Dotierung mit Bor oder Phosphor erhöht sowohl die Dunkelleitfähigkeit als auch die µτ-Produkte um mehrere Größenordnungen mit einem Minimum der beiden Größen bei leichter B-Dotierung. Die Photoleitfähigkeit wächst generell mit steigender Temperatur, wobei einzelne hoch P-dotierte Proben thermisches Quenchen aufweisen. Der Vorfaktor σ₀ der aktivierten temperaturabhängigen Dunkelleitfähigkeit wächst exponentiell mit steigender Aktivierungsenergie der Proben entsprechend der Meyer-Neldel-Regel. Bei hochdotierten Proben sinkt σ₀ entsprechend der invertierten Meyer-Neldel-Regel ab. Desweiteren werden die Ergebnisse von Photostrommessungen in Abhängigkeit der Bestrahlungsstärke und der Temperatur diskutiert.