Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.39: Poster
Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A
Nahfeld-Verst"arkung des photoresistiven Effektes in n-GaAs/Al-Schottky-Tunnelkontakten — •E. Zepezauer1, A.Ya. Shul’man2, I.N. Kotel’nikov2, S.D. Ganichev1, A. Ormont2, and W. Prettl1 — 1Universit"at Regensburg, Institut f"ur Experimentelle u. Angewandte Physik, 93040 Regensburg — 2Institute of Radioengineering and Electronics of the RAS, 103907 Moscow, Russia
Die Bestrahlung eines n-GaAs/Metall-Tunnel-Schottky-
Kontaktes
durch die
halbtransparente Metallelektrode mit FIR-Strahlung mit Frequenzen
unterhalb der Halbleiter-Plasmafrequenz f"uhrt
zu einer schnellen "Anderung des Tunnelwiderstandes, verursacht durch
Strahlungsdruck auf das unipolare Plasma und die Rekonstruktion der
selbstkonsistenten Schottky-Potentialbarriere.
Dieser Effekt ist unabh"angig von der FIR-Frequenz, solange diese
kleiner
als
die Plasmafrequenz ist, und linear mit der Intensit"at.
Es wurde beobachtet, da"s mikroskopische Oberfl"achenstrukturen
in der Metallelektrode als beugende Sub-Wellenl"angen-Aperturen zu
einer
stark superlinearen
Intensit"atsabh"angigkeit der Antwort f"uhren. Die charakteristische
Intensit"at
am Beginn des nichtlinearen Bereiches und die St"arke der
Nichtlinearit"at
sind vom Durchmesser dieser Aperturen abh"angig.
Es wird gezeigt, da"s diese Superlinearit"at durch Verst"arkung der
ponderomotiven Kraft im Nahfeldbereich der beugenden Aperturen
verursacht
wird. Dabei treten Verst"arkungsfaktoren von bis zu 105 auf.