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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Hauptvortrag

HL 25.1: Invited Talk

Thursday, March 26, 1998, 09:30–10:30, H1

LEDs und Laser auf der Basis von Beryllium-haltigen II-VI Halbleitern — •A. Waag — Physikalisches Institut, Am Hubland, 97074 Würzburg

Ein neuer Ansatz zur Verbesserung der Langzeitstabilität optoelektronischer Baulemente auf der Basis von ZnSe besteht in der Verwendung von Beryllium-haltigen II-VI Verbindungen. BeTe, BeSe, BeS und BeO unterscheiden sich von konventionellen II-VI-Halbleitern durch ihren hohen kovalenten Bindungsanteil und hohe Bindungsenergie. Erst vor kurzem konnten dünne Schichten und Heterostrukturen aus diesen Materialien hergestellt und deren Eigenschaften untersucht werden. Neben der Gitterhärtung mit Beryllium eröffnet der Typ-II Band-Offset zwischen BeTe und ZnSe interessante Möglichkeiten für das Band-Gap-Engineering. Ein weiterer Aspekt ist die Kombination von kovalenten und ionischen Materialien in Heterostrukturen sowie die potentielle Gitteranpassung von BeZnSe mit einer Bandlücke von 4 eV auf Silizium. Es soll ein Überblick über die bisher bekannten Eigenschaften dieser Materialien u.a. im Hinblick auf deren Einsatz in LEDs und Laserdioden gegeben werden, die im sichtbaren Spektralbereich emittieren.