Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 26: Photovoltaik IV
HL 26.9: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 12:30–12:45, H13
Wirkungsgradsteigerung durch photoelektrochemisch konditionierte Halbleiteroberflächen: oberflächenanalytische Untersuchungen an p-InP(111)-Halbleiterelektroden — •K. Schulte und H.J. Lewerenz — Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Abteilung Grenzflächen (CG), Glienicker Str. 100, 14109 Berlin
Der Einsatz der Elektrochemie als präparative Methode zur Konditionierung von Halbleiteroberflächen wird untersucht. Photoelektrochemische Konditionierungen der (111)A-Oberfläche von p-InP-Halbleiterelektroden werden vorgestellt, die zu einer deutlichen Verbesserung der photoelektrochemischen Solarzelle p-InP/V2+,3+-4M-HCl-Elektrolyt führen. Durch zyklische Voltametrie werden Wirkungsgradverbesserungen um 50% auf Endwirkungsgrade bis zu 12% bei gleichzeitiger Stabilisierung der Zelle erreicht. Um die Ursache für diese Verbesserung zu ergründen, wurde eine kombinierte Mikroelektrochemie/UHV-Apparatur etabliert, die eine Überführung der modifizierten Halbleiterelektroden ohne deren Kontaminierung durch Raumluft in das UHV zur Analyse der Oberflächeneigenschaften ermöglicht. Photoemissionsmessungen mit XPS zeigen einen dünnen Oxidfilm auf den konditionierten Oberflächen. Aus den durch UPS- sowie in-situ-Mott-Schottky-Messungen ermittelten elektronischen Daten werden einfache Bandschemata der Halbleiter/ Elektrolyt-Grenzfläche formuliert. LEED-Aufnahmen zeigen die Bildung einer kristallinen Oberflächenstruktur.