Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN III

HL 27.6: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 11:45–12:00, H15

Untersuchung von optisch gepumpten GaN/GaInN–DFB–Laser auf Saphir und SiC — •M. Neuner, R. Hofmann, J. Off, F. Scholz und H. Schweizer — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart

Wir berichten über die Lasereigenschaft von optisch gepumpten GaN–GaInN–DFB–Lasern auf SiC. Die DFB–Laser (Distributed–Feedback–Laser) wurden analog zu den bereits vorgestellten Lasern auf Saphir–Substrat [1] strukturiert. Die Dotierbarkeit von SiC ermöglicht es, zukünftige elektrisch gepumpte Laser von der Substratseite her zu kontaktieren.

Die DFB–Gitter 2. Ordnung wurden durch Elektronenstrahllithographie definiert und in die Deckschicht einer in LP–MOVPE gewachsenen GaN/GaInN–Doppelheterostruktur übertragen. Die Analyse der Laserbetriebsparameter ermöglichte die Untersuchung der Dispersion des Brechungsindex und der Wellenlängenabhängigkeit der Laserschwelle. Ein weiterer Schwerpunkt der Untersuchungen lag auf der Aufklärung des Einflußes der Vertikal- und Lateralstruktur auf die Ausbildung verschiedener Moden. Dazu wurden die experimentellen Ergebnisse mit Rechnungen (F–Matrix) verglichen und es gelang eine eindeutige Zuordnung verschiedener Vertikalmoden. Aufgrund der experimentellen und rechnerischen Ergebnisse wurde die Struktur optimiert.

[1] R. Hofmann, V. Wagner, H.-P. Gauggel, F. Adler, P. Ernst, H. Bolay, A. Sohmer, F. Scholz, H. Schweizer, IEEE J. of Select. Topics in Qantum Electronics, 3(2), 456 (1997)