Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Epitaxie

HL 28.4: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 11:15–11:30, H14

Molekularstrahlepitaxie (MBE) atomar glatter Aluminiumnitridfilme auf Si(111) — •H.P.D. Schenk¹, U. Kaiser¹, A. Fissel¹, J. Kräußlich², H. Hobert³ und W. Richter¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, Friedrich-Schiller-Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany — ²Institut für Optik und Quantenelektronik, Friedrich-Schiller-Universität Jena — ³Institut für Physikalische Chemie, Friedrich-Schiller-Universität Jena

Epitaktische Aluminiumnitridfilme (AlN) sind mittels Plasma-unterstützter MBE auf Si(111) gewachsen worden. Hinsichtlich der kristallinen Qualität wurde der Einfluß der Zusammensetzung des Stickstoffplasmas (optisch und massenspektrometrisch charakterisiert) auf das Schichtwachstum mittels Röntgendiffraktometrie untersucht.

Unabhängig von der Abscheiderate (0.4 bis 4nm/min) werden minimale Halbwertsbreiten des AlN(0002)-Reflexes bei einem Stickstofffluß von 1sccm erreicht. Einkristallines 2H-AlN(0001) wird in Übereinstimmung mit [1] nahe dem Verhältnis N/Al=1 (Wachstumsrate 2.5nm/min) bei 800^∘C Substrattemperatur gewachsen. Die Halbwertsbreite des AlN(0002)-Reflexes wurde für d=200nm zu 0.08^∘ (θ /2 θ) bzw. 0.6^∘ (ω) bestimmt. Die erhaltenen Oberflächen sind atomar glatt (AFM-rms= 0.2nm über 5µm× 5 µm). Hochauflösende TEM Aufnahmen zeigen ein abruptes AlN/Si Heterointerface.

[1] E.Calleja et. al., J. Appl. Phys. 82 (97) 4681