Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 3: SiC
HL 3.5: Talk
Monday, March 23, 1998, 11:30–11:45, H16
ENDOR-Untersuchungen zur Charakterisierung von Akzeptoren in SiC — •F. K. Henecker1, D. M. Hofmann1, A. Hofstaetter1, B. K. Meyer1, P. G. Baranov2 und I. V. Ilyin2 — 1I. Physikalisches Institut der Justus Liebig Universität Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Giessen — 2A.F. Ioffe-Institut, Sankt Petersburg, Rußland
Wir haben Elektron-Kern-Doppelresonanz-(ENDOR) Spektroskopie eingesetzt, um verschiedene offene Fragestellungen zu klären. Das betraf zum einen den flachen Bor-Akzeptor, dessen Hyperfein- und Quadrupolaufspaltung für 3C-Material erstmals mit hoher Präzision gemessen werden. Da uns isotropenangereichertes Material zur Verfügung stand, war das für beide Borisotope (10B und 11B) möglich. Dabei konnte praktisch kein Einfluß der unterschiedlichen Massen gefunden werden. Zum anderen haben wir für berylliumdotiertes 6H-SiC die Spin-Hamilton-Parameter für den hexagonalen Gitterplatz ermittelt. Sie zeigen, daß sich die elektronische Struktur dieser Störstelle nicht wesentlich von der des flachen Bor-Akzeptors unterscheidet. Schließlich haben wir für ein in stark aluminiumdotiertem 4H-SiC auftretendes paramagnetisches Zentrum, dessen Verhalten deutlich von dem bekannten Effektiv-Masse-Charakter des flachen Al-Akzeptors abweicht, zum ersten Mal nachgewiesen, daß in diesem Defekt ebenfalls Aluminium involviert ist, und die Werte der axialen Wechselwirkungstensoren wurden bestimmt.