Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: SiC

HL 3.5: Talk

Monday, March 23, 1998, 11:30–11:45, H16

ENDOR-Untersuchungen zur Charakterisierung von Akzeptoren in SiC — •F. K. Henecker¹, D. M. Hofmann¹, A. Hofstaetter¹, B. K. Meyer¹, P. G. Baranov² und I. V. Ilyin² — ¹I. Physikalisches Institut der Justus Liebig Universität Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Giessen — ²A.F. Ioffe-Institut, Sankt Petersburg, Rußland

Wir haben Elektron-Kern-Doppelresonanz-(ENDOR) Spektroskopie eingesetzt, um verschiedene offene Fragestellungen zu klären. Das betraf zum einen den flachen Bor-Akzeptor, dessen Hyperfein- und Quadrupolaufspaltung für 3C-Material erstmals mit hoher Präzision gemessen werden. Da uns isotropenangereichertes Material zur Verfügung stand, war das für beide Borisotope (¹⁰B und ¹¹B) möglich. Dabei konnte praktisch kein Einfluß der unterschiedlichen Massen gefunden werden. Zum anderen haben wir für berylliumdotiertes 6H-SiC die Spin-Hamilton-Parameter für den hexagonalen Gitterplatz ermittelt. Sie zeigen, daß sich die elektronische Struktur dieser Störstelle nicht wesentlich von der des flachen Bor-Akzeptors unterscheidet. Schließlich haben wir für ein in stark aluminiumdotiertem 4H-SiC auftretendes paramagnetisches Zentrum, dessen Verhalten deutlich von dem bekannten Effektiv-Masse-Charakter des flachen Al-Akzeptors abweicht, zum ersten Mal nachgewiesen, daß in diesem Defekt ebenfalls Aluminium involviert ist, und die Werte der axialen Wechselwirkungstensoren wurden bestimmt.