HL 3: SiC
Montag, 23. März 1998, 10:30–13:00, H16
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10:30 |
HL 3.1 |
Hydrogen passivation of silicon carbide by low energy ion implantation — •Norbert Achtziger, Joachim Grillenberger, Christian Hülsen, Wolfgang Witthuhn, Margareta K. Linnarsson, Martin Janson, and Bengt G. Svensson
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10:45 |
HL 3.2 |
Anisotroper Stromtransport in 4H/6H-SiC-Bauelementen — •M. Lades und G. Wachutka
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11:00 |
HL 3.3 |
Radio-Tracer-DLTS an 67Ga implantiertem 6H-Siliziumkarbid — •Joachim Grillenberger, Norbert Achtziger, Falk Günther und Wolfgang Witthuhn
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11:15 |
HL 3.4 |
Sublimationszüchtung von 6H-SiC ohne Micropipes durch Wachstum nahe am thermischen Gleichgewicht — •Norbert Schulze, Donovan L. Barrett und Gerhard Pensl
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11:30 |
HL 3.5 |
ENDOR-Untersuchungen zur Charakterisierung von Akzeptoren in SiC — •F. K. Henecker, D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, B. K. Meyer, P. G. Baranov und I. V. Ilyin
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11:45 |
HL 3.6 |
Simulation des elektrischen Verhaltens von SiC-MESFETs — •M. Roschke, F. Schwierz, G. Paasch, H. Mau, and D. Schipanski
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12:00 |
HL 3.7 |
Herstellung von SiC-Schichten durch C60-Karbonisierung von Silizium mit und ohne UV-Bestrahlung — •S. Schreiber, K. Volz, M. Zeitler, B. Rauschenbach und B. Stritzker
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12:15 |
HL 3.8 |
Einbau von Bor in SiC kontrolliert durch Coimplantation von C/B bzw.Si/B — •Thomas Frank, Thomas Troffer, Hisayoshi Itoh, Gerhard Pensl und Adolf Schöner
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12:30 |
HL 3.9 |
Photoelektronenspektroskopie an der (3x3) Rekonstruktion von hexagonalen SiC-Oberflächen — •Markus Hollering, Bernd Mattern, Florian Maier, Lothar Ley, Anton Stampfl, John D. Riley und Robert C.G. Leckey
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12:45 |
HL 3.10 |
XPS-Untersuchungen der vergrabenen SiO2/SiC Grenzschicht — •Th. Eickhoff, W. Drube, T.M. Grehk, G. Materlik und C. Harris
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