Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: SiC

HL 3.3: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 11:00–11:15, H16

Radio-Tracer-DLTS an ⁶⁷Ga implantiertem 6H-Siliziumkarbid — •Joachim Grillenberger, Norbert Achtziger, Falk Günther und Wolfgang Witthuhn — Institut für Festkörperphysik, Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena

Aus EPR-Messungen [1] wird für die Gruppe III Elemente B, Al und Ga neben ihrem flachen Akzeptorzustand ein tiefes Niveau in der Bandlücke vorhergesagt, das allerdings nur im Fall von Bor durch elektrische Messungen bestätigt wurde.
Mittels Rückstoßimplantation wurde das radioaktive Isotop ⁶⁷Ga in p-typ 6H-SiC Epi-Schichten implantiert. Die Proben wurden bei 1900 K unter Argon ausgeheilt, bei 1600 K oxidiert, HF geätzt und mit Ti als Schottky-Kontakt bedampft. DLTS-Messungen während des radioaktiven Zerfalls des ⁶⁷Ga zum Tochterelement Zn zeigen das Entstehen einer Störstelle mit der Halbwertszeit der Kernumwandlung (3.25d). Diese Störstelle kann somit dem Element Zn zugeordnet werden. Das Verschwinden einer Störstelle wird nicht beobachtet. Folglich befindet sich im untersuchten Energiebereich kein Gallium-korreliertes Niveau.
[1] P.G.Baranov, I.V.Ilyin, E.N.Mokhov, Solid State Comm. 100(6), 371 (1996)