Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 3: SiC
HL 3.4: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 11:15–11:30, H16
Sublimationszüchtung von 6H-SiC ohne Micropipes durch Wachstum nahe am thermischen Gleichgewicht — •Norbert Schulze, Donovan L. Barrett und Gerhard Pensl — Inst. f. Angew. Physik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstraße 7, 91058 Erlangen
Es wurde ein Prozeß entwickelt, um Siliciumkarbid (SiC) Volumenkristalle ohne Micropipes durch das modifizierte Lely-Verfahren zu züchten. Die Prozeßparameter wurden nahe am thermischen Gleichgewicht gehalten. Der mittlere Temperaturgradient innerhalb des Züchtungstiegels darf 5 K/cm nicht überschreiten, um ein Wachstum frei von Micropipes zu erzielen. Ein Gradient von 7,5 K/cm führte bereits zu starker Defektbildung, was eine hohe Micropipe-Dichte (> 200 cm−2 zur Folge hatte. Die maximale Wachstumsrate, bei der Kristalle ohne Micropipes gewonnen werden konnten, lag bei 0,27 mm/h. Im verwendeten Parameterbereich sind sowohl auf der C-Seite, wie auch auf der Si-Seite von 6H-SiC Saatkristallen (Lely-Platelets) ausschließlich 6H-SiC Einkristalle gewachsen. Die gewachsenen Kristalle wurden optisch und elektrisch charakterisiert. Hall-Effekt-Messungen ergaben eine Konzentration der Stickstoff-Hintergrunddotierung von 5,8· 1017 cm−3 und eine Kompensationskonzentration von 1,7· 1017 cm−3.