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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: SiC

Monday, March 23, 1998, 10:30–13:00, H16

10:30 HL 3.1 Hydrogen passivation of silicon carbide by low energy ion implantation — •Norbert Achtziger, Joachim Grillenberger, Christian Hülsen, Wolfgang Witthuhn, Margareta K. Linnarsson, Martin Janson, and Bengt G. Svensson
10:45 HL 3.2 Anisotroper Stromtransport in 4H/6H-SiC-Bauelementen — •M. Lades und G. Wachutka
11:00 HL 3.3 Radio-Tracer-DLTS an 67Ga implantiertem 6H-Siliziumkarbid — •Joachim Grillenberger, Norbert Achtziger, Falk Günther und Wolfgang Witthuhn
11:15 HL 3.4 Sublimationszüchtung von 6H-SiC ohne Micropipes durch Wachstum nahe am thermischen Gleichgewicht — •Norbert Schulze, Donovan L. Barrett und Gerhard Pensl
11:30 HL 3.5 ENDOR-Untersuchungen zur Charakterisierung von Akzeptoren in SiC — •F. K. Henecker, D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, B. K. Meyer, P. G. Baranov und I. V. Ilyin
11:45 HL 3.6 Simulation des elektrischen Verhaltens von SiC-MESFETs — •M. Roschke, F. Schwierz, G. Paasch, H. Mau, and D. Schipanski
12:00 HL 3.7 Herstellung von SiC-Schichten durch C60-Karbonisierung von Silizium mit und ohne UV-Bestrahlung — •S. Schreiber, K. Volz, M. Zeitler, B. Rauschenbach und B. Stritzker
12:15 HL 3.8 Einbau von Bor in SiC kontrolliert durch Coimplantation von C/B bzw.Si/B — •Thomas Frank, Thomas Troffer, Hisayoshi Itoh, Gerhard Pensl und Adolf Schöner
12:30 HL 3.9 Photoelektronenspektroskopie an der (3x3) Rekonstruktion von hexagonalen SiC-Oberflächen — •Markus Hollering, Bernd Mattern, Florian Maier, Lothar Ley, Anton Stampfl, John D. Riley und Robert C.G. Leckey
12:45 HL 3.10 XPS-Untersuchungen der vergrabenen SiO2/SiC Grenzschicht — •Th. Eickhoff, W. Drube, T.M. Grehk, G. Materlik und C. Harris
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