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HL: Halbleiterphysik
HL 33: Optische Eigenschaften II
HL 33.1: Talk
Thursday, March 26, 1998, 16:30–16:45, H13
Absorptionsgrad f"ur Band-Band-"Uberg"ange aus der Elektrolumineszenz von Silizium pn-"Uberg"angen — •T. Trupke, E. Daub, and P. W"urfel — Institut f"ur Angewandte Physik, Universit"at Karlsruhe, Kaiserstraße 12, 76128 Karlsruhe
Mit Hilfe des verallgemeinerten Planck-Gesetzes [1], das die spontane
Emissionsrate eines K"orpers im angeregten Zustand beschreibt, k"onnen
aus experimentell gewonnenen Daten der Emission eines K"orpers
Informationen "uber dessen Absorptionseigenschaften gewonnen werden.
W"ahrend dieses Verfahren bisher nur auf Photolumineszenspektren an
homogenem Halbleitermaterial angewendet wurde [2], wird hier aus
Elektrolumineszenzspektren der Absorptionsgrad f"ur
Band-Band-"Uberg"ange ABB(ℏω) von strukturierten und
nicht strukturierten Silizium-Solarzellen ermittelt.
Da die Emission der Solarzellen "uberwiegend in einem Spektralbereich
stattfindet, in dem einfallendes Licht nur sehr schwach absorbiert wird,
kann auch sehr geringe Absorption, die mit herk"ommlichen Verfahren, wie
Transmissionsmessungen, nicht mehr zug"anglich ist, mit dieser Methode
nachgewiesen werden.
Insbesondere weit unterhalb der Bandl"ucke kann ABB(ℏω)
trotz der um mehrere Gr"oßenordnungen h"oheren Absorption durch freie
Ladungstr"ager noch bestimmt werden.
[1] P. W"urfel, J. Phys. C 15, 3967-3985 (1982)
[2] E. Daub, P. W"urfel, Phys. Rev. Lett., 74(6), 1020-1023, (1995)