HL 33: Optische Eigenschaften II
Donnerstag, 26. März 1998, 16:30–19:00, H13
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16:30 |
HL 33.1 |
Absorptionsgrad f"ur Band-Band-"Uberg"ange aus der Elektrolumineszenz von Silizium pn-"Uberg"angen — •T. Trupke, E. Daub, and P. W"urfel
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16:45 |
HL 33.2 |
Elektron-Loch Drag-Effekt in hochbeweglichen 2-dimensionalen Elektronengasen — •A. Paaßen, A. Zrenner, G. Abstreiter, M. Bichler und W. Wegscheider
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17:00 |
HL 33.3 |
Lokalisierugsinduzierte Erhöhung der Biexzitonenbindungsenergie in N-dimensionalen Halbleitern — •W. Langbein and J.M. Hvam
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17:15 |
HL 33.4 |
Lichtausbreitung an mikroskopisch aufgerauhten Oberflächen — •S. Schoberth, S. Meinlschmidt, R. Windisch, P. Kiesel, P. Heremans, G. Borghs und G.H. Döhler
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17:30 |
HL 33.5 |
Polarisationsaufgelöste Untersuchung von parabolischen Quantentöpfen — •U. Pfeiffer, K. Maranowski und G. H. Döhler
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17:45 |
HL 33.6 |
Einflu"s elektrischer Felder auf die optischen Eigenschaften verspannnter InGaAs/GaAs-Doppel-Quantum-Well-Strukturen — •A. Golombek, R. Goldhahn, G. Gobsch, K. Vogel, S. Gramlich, and H. Wenzel
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18:00 |
HL 33.7 |
Stimulierte Emission aus lokalisierten Zuständen in geordnetem (AlxGa1−x)0.52In0.48P — •U. Dörr, H. Kalt, D.J. Mowbray und C.C. Button
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18:15 |
HL 33.8 |
Bestimmung des Vorzeichens des Elektron-Landé-g-Faktors in Halbleitern — •D. H"agele, M. Oestreich, A. Hansch, K. K"ohler, and W.W. R"uhle
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18:30 |
HL 33.9 |
Fano-Resonanzen von Wannier-Stark-Exzitonen in Halbleiter-Übergittern — •C. Holfeld, F. Löser, M. Sudzius, K. Leo, D. M. Whittaker und K. Köhler
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18:45 |
HL 33.10 |
Bestimmung kleiner Absorptionskonstanten an der Bandkante von Halbleitern aus der Photolumineszenz — •H. Bruker, M. H"afner, E. Daub, and P. W"urfel
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