Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 33: Optische Eigenschaften II
HL 33.7: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 18:00–18:15, H13
Stimulierte Emission aus lokalisierten Zuständen in geordnetem (AlxGa1−x)0.52In0.48P — •U. Dörr1, H. Kalt1, D.J. Mowbray2 und C.C. Button3 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe — 2Department of Physics, University of Sheffield, Sheffield S3 7RH, United Kingdom — 3EPSRC Central Facility for III-V Materials, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield S1 JD, United Kingdom
Es wurden MOVPE-gewachsene (Al0.5Ga0.5)0.52In0.48P -Proben mit unterschiedlichem Ordnungsgrad anhand verschiedener Methoden der optischen Spektroskopie untersucht. Die Proben sind auf (001) GaAs-Substraten aufgewachsen, die um 3∘ in Richtung {011} bzw. um 10∘ in Richtung {111}A verkippt sind. Mit steigender Anregungsintensität zeigen die Proben die für geordnetes Material typische Blauverschiebung der Photolumineszenz (PL). Diese Blauverschiebung kann zum Teil als Auffüllen des exponentiellen Zustandsdichteausläufers identifiziert werden. Weitere Belege für die Existenz eines solchen Ausläufers aus lokalisierten Zuständen liefert zum einen die Linienform der PL unter quasistationärer Hochanregung und zum anderen die beobachtete Hopping-Relaxation der Ladungsträger. Letztgenannter Effekt wird anhand von zeitaufgelöster PL-Spektroskopie nachgewiesen. Mit Hilfe der variablen Strichlängenmethode wurden die Spektren der optischen Verstärkung gemessen. Stimulierte Emission tritt als Konsequenz des Auffüllens lokalisierter Zustände auf.