Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 35: III-V Halbleiter

HL 35.10: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 18:45–19:00, H17

Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur Defektbildung bei Zn-Diffusion in GaP und GaSb — •CH. JÄGER¹, W. JÄGER¹, J. PÖPPING², G. BÖSKER² und N.A. STOLWIJK² — ¹Mikrostrukturanalytik, Technische Fakultät, Christian-Albrecht-Universität zu Kiel, D-24143 Kiel — ²Institut für Metallforschung, Universität Münster, D-48149 Münster

Die Natur und die räumliche Verteilung der bei Zn-Diffusion entstehenden Kristalldefekte in GaP(001)- und GaSb(001)-Einkristallen wurde mittels analytischer Transmissionselektronenmikroskopie an Querschnittspräparaten untersucht und mit Zn-Konzentrationsprofilen aus Sekundärionenmassenspektroskopie verglichen. Eindiffusion von Zink bei unterschiedlichen Diffusionsbedingungen führt in beiden Materialien zur Bildung ähnlicher Defektstrukturen, die aus Hohlräumen mit Ausscheidungen, Versetzungen sowie vollständigen Versetzungsringen vom Zwischengitteratomtyp bestehen. Ortsauflösende Röntgenspektroskopie-Analysen ergeben, daß die Hohlräume Ga und -nach längerer Glühzeit- auch zusätzlich Zn enthalten. Für GaP werden darüber hinaus die Degradation der Kristalloberfläche und die Bildung polykristalliner Oberflächenschichten beobachtet. Die Entstehung der Defekte wird diskutiert und mit früheren Untersuchungen der Zn-Diffusion im GaAs und InP verglichen.