HL 35: III-V Halbleiter
Donnerstag, 26. März 1998, 16:30–19:00, H17
 |
16:30 |
HL 35.1 |
Semiisolierendes InP mit hoher thermischer Stabilität durch Ruthenium Dotierung — •A. Dadgar, O. Stenzel, A. Näser, L. Köhne, M. Straßburg, W. Stolz, H. Schumann und D. Bimberg
|
|
|
|
16:45 |
HL 35.2 |
Ultrahochvakuum-Rastertunnelmikroskop für drei Zoll große III/V Halbleiterwafer — •C. Daniels, K. Szot, A. Förster und H. Lüth
|
|
|
|
17:00 |
HL 35.3 |
E-Feldabhängigkeit schwacher Strukturfaktoren von GaAs — •J. Stahn, A. Pucher und U. Pietsch
|
|
|
|
17:15 |
HL 35.4 |
CuPtB-Ordnung in GaInAs — •H. Seitz, R. Wirth, M. Geiger, J. Porsche, F. Scholz und A. Hangleiter
|
|
|
|
17:30 |
HL 35.5 |
PAC-Untersuchungen in InAs mit der Sonde 77Br(77Se). — •M. Risse, M. Wehner, and R. Vianden
|
|
|
|
17:45 |
HL 35.6 |
Ramanspektroskopische Untersuchung von antimonidischen III/V- Halbleiterheterostrukturen — •D. Serries, S. Simanowski, M. Peter, J. Schmitz, N. Herres, M. Walther und J. Wagner
|
|
|
|
18:00 |
HL 35.7 |
Elektrische und strukturelle Eigenschaften von Be-dotiertem Low-Temperature-GaAs — •K. Thul, M. Luysberg, A. Mück, K. Urban, P. Specht, R. Lutz, Z. Liliental-Weber und E.R. Weber
|
|
|
|
18:15 |
HL 35.8 |
Polarisationsabhängige optoelektronische Bauelemente auf der Basis von geordnetem GaInP — •J. Krauß, T. Kippenberg, G. Schmiedel, P. Kiesel, U. Hilburger, E. Greger, K.H. Gulden, M. Moser und G.H. Döhler
|
|
|
|
18:30 |
HL 35.9 |
Lichtemittierende Dioden auf der Basis amorpher Silizium-Suboxide — •R. Janssen, A. Janotta, U. Karrer, D. Dimova-Malinovska und M. Stutzmann
|
|
|
|
18:45 |
HL 35.10 |
Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur Defektbildung bei Zn-Diffusion in GaP und GaSb — •CH. JÄGER, W. JÄGER, J. PÖPPING, G. BÖSKER und N.A. STOLWIJK
|
|
|
