Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 35: III-V Halbleiter
HL 35.3: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 17:00–17:15, H17
E-Feldabhängigkeit schwacher Strukturfaktoren von GaAs — •J. Stahn, A. Pucher und U. Pietsch — Institut für Physik, Universität Potsdam
Um tiefere Einblicke in den Übergang einer kovalenten in eine ionische chemische Bindung zu erhalten und Modelle zur nichtlinearen Abschirmung in Festkörpern zu entwickeln, wurde die Abhängigkeit schwacher Reflexe von GaAs von einem äußeren elektrischen Feld untersucht.
Es wurden mittels Modulationstechnik die integralen Intensitäten R mit und ohne externem elektrischen Feld E in [1 1 1] Richtung quasi-simultan gemessen. Aus diesen wurden die relativen Intensitätsänderungen (RE − R0) / R0 berechnet. Bei den Reflexen (2 2 2) und (2 2 2) tritt eine nahezu lineare Abhängigkeit von E auf. Dieses Verhalten läßt sich anhand des Bindungsladungsmodells für die Valenzelektronendichte verstehen und interpretieren. Bei diesen und anderen niederindizierten Reflexen ist der Effekt nur aufgrund anomaler Dispersion knapp oberhalb der Kα-Kante von As bei λ ≈ 1 Å meßbar.
Neuere Messungen an hochindizierten Reflexen zeigen, daß auch diese durch ein externes elektrisches Feld beeinflußt werden. Allerdings ist der Effekt hier — zumindest im Intervall λ = 0,8 bis 1,05 Å — nur schwach wellenlängenabhängig. Außerdem scheint bei den hochindizierten Reflexen eine E2-Abhängigkeit vorzuliegen.