Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 40: Photovoltaik V

HL 40.8: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 13:15–13:30, H13

Feldeffekt-Passivierung der Silicium-Siliciumdioxid-Grenzfläche mit Corona-Aufladung — •Daniel Biro, Stefan W. Glunz und Wilhelm Warta — Fraunhofer-Institut füer Solare Energiesysteme, Oltmannsstr. 5, 79100 Freiburg

Die derzeit besten Silicium-Solarzellen sind auf der Emitter- wie der Rückseite mit einem thermisch gewachsenen Siliciumdioxidfilm passiviert. Es ist bekannt, daß dessen Passivierungswirkung entscheidend von ortsfesten Ladungen in oder auf dem Oxid beeinflußt wird. Die vorgestellte Arbeit untersucht die Wirkung positiver und negativer Ladungen, die mittels Coronaentladung auf der Oberfläche aufgebracht wurden. Die an thermisch oxidierten Wafern beobachtete Ladungsabhängigkeit folgt qualitativ dem theoretisch erwarteten Verlauf: Positive Aufladung bewirkt eine stärkere Verbesserung der Passivierungsqualität als negative, eine direkte Folge der asymmetrischen Einfangwirkungsquerschnitte der Grenzflächendefekte für Elektronen und Löcher. An Solarzellen wird ein analoger Einfluß auf die Leerlaufspannung beobachtet. Die Wirkung hoher Ladungsdichten ist allerdings experimentell weitaus schwächer als theoretisch vorhergesagt. Dies wird durch eine Erweiterung des bisherigen Grenzflächenmodells gut beschrieben.