HL 40: Photovoltaik V
Freitag, 27. März 1998, 11:30–14:00, H13
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11:30 |
HL 40.1 |
Nanokristallines Silizium aus VHF-Plasma- und Hot-Wire-CVD-Abscheidung für Tandemsolarzellen — •H. Brummack, R. Brüggemann, A. Hierzenberger, H.N. Wanka und M.B. Schubert
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11:45 |
HL 40.2 |
Dünnschichtsolarzellen auf der Basis von CuInS2:Sb — •I. Hengel, R. Klenk und M. Ch. Lux-Steiner
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12:00 |
HL 40.3 |
Wasserstoff in CdS-Pufferschichten für CIS-Dünnschichtsolarzellen — •M. Weber, J. Krauser, A. Weidinger, J. Bruns und R. Scheer
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12:15 |
HL 40.4 |
Beschreibung von chemischen Reaktionen und Transportprozessen beim CSVT-Verfahren — •W. Fritsch und U. Wille
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12:30 |
HL 40.5 |
Einflußs von Wasserstoff-Behandlungen auf die Rekombinationswirkung von Versetzungen in SiGe-Solarzellen — •Olaf Dr. Krüger und Martin Dr. Kittler
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12:45 |
HL 40.6 |
Dünnschichten auf der Basis von CuInS2:Ga — •E. Garcia Villora, R. Klenk und M. Ch. Lux-Steiner
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13:00 |
HL 40.7 |
Texturgeätztes ZnO:Al als Frontkontakt für Solarzellen aus amorphem Silizium — •S. Wieder, A. Löffl, O. Kluth, C. Beneking, B. Rech und H. Wagner
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13:15 |
HL 40.8 |
Feldeffekt-Passivierung der Silicium-Siliciumdioxid-Grenzfläche mit Corona-Aufladung — •Daniel Biro, Stefan W. Glunz und Wilhelm Warta
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13:30 |
HL 40.9 |
Charakterisierung von hocheffizienten rückseitenkontaktierten Silicium-Solarzellen — •J. Dicker, J.O. Schumacher, S.W. Glunz und W. Warta
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13:45 |
HL 40.10 |
Lumineszenz von MBE AlxGa1−xN — •M. Steube, K. Reimann, O. Ambacher und H. Angerer
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