Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Photovoltaik V

HL 40.7: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 13:00–13:15, H13

Texturgeätztes ZnO:Al als Frontkontakt für Solarzellen aus amorphem Silizium — •S. Wieder, A. Löffl, O. Kluth, C. Beneking, B. Rech und H. Wagner — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

Die mangelnde Verfügbarkeit von kostengünstigen Glassubstraten mit transparenten leitfähigen Beschichtungen hoher Qualität ist derzeit eine der wesentlichen Einschränkungen beim Einstieg in die Massenfertigung von Dünnschicht-Solarzellen auf der Basis des amorphen Siliziums. In diesem Beitrag wird ein neues, einfaches Verfahren für die Präparation qualitativ hochwertiger, texturierter ZnO:Al-Schichten auf Glas vorgestellt. Durch Sputterdeposition hergestellte Schichten werden in einem nachfolgenden naßchemischen Ätzschritt texturiert. Bei geeigneter Struktur der Ausgangsschicht lassen sich exzellente elektrische und optische Eigenschaften in Kombination mit einem kontrollierbaren Streuvermögen erreichen. Die texturierten ZnO:Al Filme wurden als transparenter Vorderseitenkontakt in Solarzellen aus amorphem Silizium eingesetzt. Messungen der spektralen Antwort der Solarzellen demonstrieren eine effiziente Lichteinkopplung. Durch den Einsatz von Kontaktschichten aus mikrokristallinem Silizium wurden außerdem hohe Füllfaktoren und Leerlaufspannungen erreicht. Insgesamt konnten bereits Anfangswirkungsgrade von 10 % erzielt werden.