Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Photovoltaik V

HL 40.4: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 12:15–12:30, H13

Beschreibung von chemischen Reaktionen und Transportprozessen beim CSVT-Verfahren — •W. Fritsch und U. Wille — Bereich Theoretische Physik, Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin

Die effiziente Abscheidung dünner Halbleiterchichten mit dem CSVT-(Close-Spaced Vapor Transport)-Verfahren erfordert ein gutes Zusammenspiel von chemischen Reaktionen und Transportprozessen. Zur Unterstützung von experimentellen Arbeiten an Materialien, die für Dünnschichtsolarzellen von Interesse sind, untersuchen wir theoretisch die Verhältnisse am Beispiel der Abscheidung von ZnSe-Schichten, wobei Wasserstoff und Iod als Träger- bzw. Transportgas verwendet werden. Die Raten von Reaktionen mit Zn und Se und deren Verbindungen sind zunächst nicht bekannt, sie werden mit der Transition-State-Theorie abgeschätzt. Mit diesen Raten werden die Transportgleichungen unter Verwendung eines kommerziellen CFD-Programms gelöst. Ziel ist eine Beschreibung des Schichtenwachstums ohne a-priori-Annahmen über transportbestimmende Prozesse.- Dieses Projekt ist derzeit im Aufbau. Der Stand sowie erste Ergebnisse werden auf der Tagung präsentiert.