Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Photovoltaik V

HL 40.5: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 12:30–12:45, H13

Einflußs von Wasserstoff-Behandlungen auf die Rekombinationswirkung von Versetzungen in SiGe-Solarzellen — •Olaf Dr. Krüger und Martin Dr. Kittler — Institut für Halbleiterphysik, Walter-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt (Oder)

Um mit Solarzellen - bestehend aus dicken SiGe-Schichten auf Si-Substrat [1] - eine hohe Effizienz erzielen zu können, mußs u.a. die Rekombinationsaktivität von fehlanpassunsbedingten Versetzungen in der SiGe-Schicht klein sein. Ergebnisse der Wirkung unterschiedlicher Wasserstoff-Behandlungen auf das Rekombinationsverhalten in LPE- und CVD-SiGe-Schichten werden vorgestellt. Die Behandlungen können die Rekombination an Versetzungen bei Raumtemperatur nahezu vollständig unterdrücken. Allerdings läßst sich die intrinsische Versetzungswirkung - gekennzeichnet durch eine sehr schwache Rekombinationsaktivität bei Temperaturen um 50 K - durch Wasserstoffbehandlung nicht restaurieren.

[1] EU-Projekt BANSIS