Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Photovoltaik V

HL 40.1: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 11:30–11:45, H13

Nanokristallines Silizium aus VHF-Plasma- und Hot-Wire-CVD-Abscheidung für Tandemsolarzellen — •H. Brummack, R. Brüggemann, A. Hierzenberger, H.N. Wanka und M.B. Schubert — Institut für Physikalische Elektronik, Universität Stuttgart

Nanokristallines Silizium bietet sich für die Anwendung in Tandemsolarzellen in der Kombination mit amorphem Silizium an, da die Abscheidung bei niedrigen Temperaturen (<200^∘C) in derselben einfachen Technologie erfolgen kann. Im Gegensatz zu amorphem Silizium-Germanium, das in amorphen Stapelsolarzellen als Material für die untere Zelle verwendet wird, zeigt nanokristallines Silizium keine Lichtalterung. Wir haben nanokristallines Silizium im PECVD-Verfahren bei 55 MHz und 170 MHz und in thermokatalytischer Abscheidung (Hot-Wire-CVD) hergestellt und vergleichen optische und elektronische Materialeigenschaften in Abhängigkeit von der Herstellungsmethode und den Depositionsparametern. Solarzellen aus diesen Materialien zeigen bisher eine reduzierte Rotantwort und daher niedrigen Wirkungsgrad. Die Leerlaufspannung erreicht bei komplett nanokristallinen Solarzellen Werte von 400 mV, bei solchen mit amorpher p-Schicht über 870 mV.