Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 42: Unkonventionelle Halbleiter

HL 42.2: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 11:45–12:00, H17

Vergleich der Porenbildungsprozesse in amorphem und kristallinem Silizium — •R.B. Wehrspohn, J.-N. Chazalviel, F. Ozanam und I. Solomon — Labo. PMC, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau Cedex, France.

Elektrochemisches Ätzen von einkristallinem p-type Silizium (c-Si) in HF unter galvanostatischen Bedingungen führt zur Bildung von nanoporösen Strukturen mit einer charakteristischen Größe von ca. 2-50 nm. Poröses c-Si kann elektrochemisch bis zu Dicken von einigen 100 µm hergestellt werden. Die Nanoporenbildung in amorphem Silizium bricht dagegen nach einigen 100 nm ab und Kanäle (d≈300nm) entstehen, die sich durch den gesamten Film ätzen. Diese Makroinstabilität während der Porenbildung führen wir auf den hohen spez. Widerstand von a-Si:H zurück. Anhand einer linearen Stabilitätsanalyse werden Möglichkeiten zur Vermeidung dieser Instabilität diskutiert und Parallelen zur Makroporenbildung in hochresistivem p-type c-Si aufgezeigt. Basierend auf diesen Ergebnissen stellen wir ein einheitliches Modell vor, daß die Makroinstabilität und die Nanoporenbildung in a-Si:H und c-Si erklärt.