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HL: Halbleiterphysik
HL 43: Quantenpunkte III
HL 43.7: Vortrag
Freitag, 27. März 1998, 13:00–13:15, H1
Gewinn in Quantenpunkt-Strukturen: Messung durch Elektroinjektion — •S. Bognár1, O. Stier1, F. Heinrichsdorff1, M.-H. Mao1, D. Bimberg1, N. N. Ledentsov2, P. S. Kop’ev2, V. M. Ustinov2 und Zh. I. Alferov2 — 1Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, TU-Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — 2A. F. Ioffe Physikalisch-Technisches Institut, 194021 St. Petersburg, Russland
Der modale Gewinn von Schichten von InAs-Quantenpunkten (QD) in GaAs-Barrieren wird als Funktion der Ladungsträgerdichte direkt gemessen. Ausgangspunkt sind drei- bzw. vierfach gestapelte Lagen von QD in p-n-Übergängen, die durch MOCVD bzw. MBE hergestellt wurden. Zur Stromführung werden Mesas in [100]-Richtung von 8 µm bzw. 24 µm Stegbreite präpariert und auf der p-Seite mit Ohmschen Streifenkontakten versehen. Diese definieren die Gewinn-Sektionen für eine Strichlängen-Methode, bei der die Ladungsträger nicht durch optische Anregung erzeugt werden, sondern durch Elektroinjektion. Die hochdotierten p-Schichten im Mesa werden zur Erhöhung des Unterbrechungswiderstands möglichst tief abgeätzt. Um sicherzustellen, dass die optische Welle keine Mehrfachumläufe macht, wird an einer der beiden Mesa-Stirnseiten ein Absorber durch Stickstoff-Implantation erzeugt. Der so ermittelte modale, differentielle und Material-Gewinn der QD-Strukturen wird mit theoretischen Vorhersagen verglichen.