Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: Symposium: Nahfelduntersuchungen optischer Anregungen
HL 44.4: Fachvortrag
Freitag, 27. März 1998, 13:00–13:30, H15
Optische Nahfeld-Reflektionsspektroskopie an Halbleiternanostrukturen — •W. Langbein1, J.M. Hvam1, and S.M. Madsen2 — 1Mikroelektronik Centret, The Technical University of Denmark, Building 345 east, DK–2800 Lyngby, Denmark — 2DME - Danish Micro Engineering A/S, Transformervej 12, DK–2730 Herlev, Denmark
Wir stellen eine optische Nahfeldtechnik vor, mit der die lokale Polarisierbarkeit von Halbeiternanostrukturen mit einer Ortsauflösung besser als 100 nm abgebildet werden kann.
Wir benutzen ein umgebautes Rasterkraftmikroskop in Scherkraftregelung. Die Nahfeldsonde ist eine gezogene Spitze einer single-mode Glasfaser. Um Untergrundsignale durch Fernfeldreflektionen zu unterdrücken,
wird die depolarisierte Komponente des internen
Faserrückreflexes
selektiert [1].
Die Intensität dieser Komponente wird in Phase mit der
Schwingungfrequenz der Faser detektiert, die schnell
gegenüber der
Abstandsregelu
des Instrumentes ist. Dadurch werden topographische
Fernfeldartefakte
unterdrückt [2].
Wir demonstrieren die Leistungsfähigkeit dieser
Technik an
oberflächennahen Quantenfilmen,
relaxierten Si-Ge Oberflächen, und GaAs T-förmigen
Quantendrähten.
[1] S. I. Bozhevolnyi, M. Xiao, and O. Keller, Appl.
Optics 33,
876 (1994).
[2] W. Langbein et. al, OECS 1997, phys. stat.
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