Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 6: Symposium: Blaue Halbleiterlaser

HL 6.5: Fachvortrag

Montag, 23. März 1998, 12:30–13:00, H1

III-Nitrid basierende blaue Emitter — •H. Obloh, K.-H. Bachem, U. Kaufmann, A. Ramakrishnan, P. Schlotter und J. Wagner — Fraunhofer-IAF, Tullastraße 72, 79108 Freiburg

1994 überraschten Shuji Nakamura und Mitarbeiter (Nichia Chemicals) die Fachwelt mit der ersten kommerziell verfügbaren superhellen blauen LED basierend auf dem Materialsystem GaN-AlN-InN. Seither haben die nitridischen III-V Halbleiter eine stürmische Entwicklung erfahren die ihren vorläufigen Höhepunkt im Herbst dieses Jahres erlebte als Shuji Nakamura einen blauen Laser mit einer Lebensdauer von über 10000 h präsentierte. Inzwischen gibt es eine Reihe weiterer Firmen und Forschungslabors die einen zumindest im Pulsbetrieb arbeitenden blauen Laser vorgestellt haben. Dies alles vollzieht sich vor dem Hintergrund, daß viele Details des Materialsystem GaN-AlN-InN nur unvollständig verstanden sind. Nach wie vor werden die hellsten Leuchtdioden auf stark gitterfehlangepaßten Saphir-Substraten aufgewachsen. Die Frage, welche Rolle ’threading dislocations (TDs)’ für die Helligkeit der LEDs und die Lebensdauer des Lasers spielen ist noch nicht vollständig beantwortet. Auch der für die stimulierte Emission verantwortliche Mechanismus (Quanten-Dot-Laser ?) ist derzeit strittig. Andere offene Fragen, die diskutiert werden, beziehen sich auf das Wachstum und die Eigenschaften von InGaN. Etwas in den Hintergrund getreten, aber gleichwohl bedeutsam ist nach wie vor die Frage der p-Dotierung.