Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 9: Heterostrukturen
HL 9.7: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 17:30–17:45, H17
Berechnung von (GaAs)n(AlAs)n-Übergittern mit einem empirischen spds* Tight-Binding Verfahren — •R. Scholz1 und J.-M. Jancu2 — 1Institut für Physik, Technische Universität, Chemnitz — 2Scuola Normale Superiore, Pisa
Ein kürzlich entwickeltes Tight-Binding Modell in erweiterter spds*-Basis erlaubt es, für die energetische Lage der Γ-, L- und X-Täler des Leitungsbandes eine Übereinstimmung mit experimentellen Daten im meV-Bereich zu erzielen. Durch die korrekte Erfassung des bindenden oder anti-bindenden Charakters der Wellenfunktionen können mit geeigneten Distanzabhängigkeiten der Modellparameter auch die richtigen Deformationspotentiale ermittelt werden. In diesem Beitrag wird eine Anwendung auf tetragonal verspannte (GaAs)n(AlAs)n-Übergitter vorgestellt, die in (100)-Richtung gewachsen sind. Die genaue Parametrisierung der beteiligten Volumenmaterialien ist dabei der Schlüssel zur korrekten Beschreibung der Leitungsbandminima im Übergitter.