Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

M: Metallphysik

M 8: Amorphe und metastabile Metalle II

M 8.11: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 18:50–19:10, H 39

Mechanische Spannungen während Wachstum, Relaxation und Kristallisation amorpher Cu-Ti-Schichten — •Ulrich v. Hülsen, Matthias Bicker und Ulrich Geyer — 1. Physikalisches Institut und SFB 345, Universität Göttingen, D-37073 Göttingen

Amorphe Cu-Ti-Schichten wurden durch Elektronenstrahlkoverdampfen bei Raumtemperatur hergestellt. Während des Schichtwachstums wurde die Substratkrümmung insitu mittels einer Zweistrahl- Lichtzeigermethode gemessen. Diese Spannungsmessungen zeigen einen klaren Zusammenhang mit der in verschiedenen Wachstumsstadien mit dem STM gemessenen Oberflächentopographie. Während einer Phase des kinetischen Aufrauhens der Oberfläche zu Beginn des Wachstums beobachtet man Druckspannungen in den Schichten. Bei einer kritischen Schichtdicke wechselt der Wachstumsmodus und ein Umschlag zu Zugspannungen tritt ein. Insitu-Messungen der Substratkrümmung beim Aufheizen der Schichten zeigen, daß die mittlere Dichte der Schichten in einer Relaxationsphase bereits unterhalb der Kristallisationstemperatur zunimmt. Je größer der Anteil der Schicht ist, der unter Druckspannungen aufgewachsen ist, desto größer ist auch die Spannungsänderung in der Relaxationsphase. Die Kristallisation der Schichten ist ebenfalls mit einer Dichtezunahme verbunden und kann in den Spannungsmessungen klar erkannt und ausgemessen werden.