Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.1: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Morphologie von Stufen bei der Silicium-Gasphasenepitaxie — •Hubert Rauscher, Jürgen Spitzmüller, Matthias Fehrenbacher und R. Jürgen Behm — Abt. Oberflächenchemie u. Katalyse, Universität Ulm, 89069 Ulm

Beim epitaktischen Wachstum von Siliciumschichten wird neues Material meist bevorzugt an Stufen eingebaut. Beim CVD-Wachstum hängt dabei die Struktur der Stufen und ihre zeitliche Entwicklung beim Einbau neuer Atome unter anderem sowohl von der Orientierung der Stufen als auch von Vorgängen während der dissoziativen Adsorption des Gasphasen-Precursors ab. Zusätzliche vom Precursor auf der Oberfläche freigesetzte Spezies (z. B. H-Atome) beeinflussen ebenfalls die Ausformung von Stufen. Wir vergleichen anhand rastertunnelmikroskopischer Messungen die Entwicklung der Stufenmorphologie bei der UHV-Gasphasenepitaxie auf Si(100)2×1 mit derjenigen auf Si(111)7×7 und diskutieren darüber hinaus Unterschiede zur Morphologie von Stufen, die bei der Gasphasenepitaxie (MBE) beobachtet werden. Spezifische Mechanismen, die zur Ausbildung unterschiedlicher Stufenformen führen, werden diskutiert und mit Modellen, die von der MBE abgeleitet wurden, verglichen.