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Regensburg 1998 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.34: Poster

Monday, March 23, 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Temperaturabh"angige elektronische Struktur der sauerstoffbedeckten Gd(0001) Oberfl"ache — •C. Sch"u"sler-Langeheine, R. Meier, Z. Hu, E. Weschke, and G. Kaindl — Freie Universit"at Berlin, Institut f"ur Experimentalpysik, Arnimallee 14, D-14195 Berlin

Die "Anderung der elektronischen Struktur der Gd(0001)-Oberfl"ache durch Adsorption von Sauerstoff wurde mit winkelaufgel"oster Photoelektronenspektroskopie untersucht. Mit zunehmender Sauerstoffbedeckung entsteht ein neuer Zustand nahe der Fermikante, w"ahrend der Oberfl"achenzustand und das d-Band des Gd unterdr"uckt werden. Dieser Zustand hat die Eigenschaften eines Oberfl"achenbandes. Er zeigt Dispersion entlang k aber keine Dispersion entlang k. An der chemischen Verschiebung des Gd 4f-Multipletts kann man erkennen, da"s es sich bei dem System nicht um Gd2 O3 handelt. Unterhalb der Curietemperatur des Volumens zeigt der sauerstoffinduzierte Zustand eine Aufspaltung, die in ihrem Temperaturverhalten der Austauschaufspaltung des Leitungsbandes [1] entspricht. Der Betrag der Aufspaltung ist mit ≈ 460 meV bei 50 K kleiner als der des Leitungsbandes (≈ 800 meV).

[1] B. Kim et. al, Phys. Rev. Lett. 68 1931 (1992)

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