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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.39: Poster

Monday, March 23, 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Ab-initio-Berechnung des Infrarot-Absorptionsspektrums von Si(111):H — •R. Honke, A.P. Mayer, P. Pavone, and U. Schr"oder — Institut f"ur Theoretische Physik, Universit"at Regensburg, Universit"atsstra"se 31, D-93040 Regensburg

Im Rahmen der Lokale-Dichte-N"aherung und der Approximation eines starren Substrates wird das Potential, in dem sich die Wasserstoffatome auf der Si(111) befinden, sowie das Dipolmoment als Funktion des Abstandes der H-Atome von der Oberfl"ache parameterfrei berechnet. Mithilfe von exakter Diagonalisierung des Hamilton-Operators f"ur die Auslenkungen der H-Atome l"a"st sich das Infrarotspektrums berechnen, in dem neben dem Hauptpeak bei der Frequenz der H-Streckschwingung Obert"one sowie weitere Maxima auftreten, die durch die anharmonische Kopplung von Streck- und Biegeschwingung bedingt sind. Zur Bestimmung der Temperaturabh"angigkeit von Frequenz und intrinsischer Linienbreite der H-Streckschwingung wird die anharmonische Kopplung an Phononmoden des Substrates st"orungstheoretisch ber"ucksichtigt.