Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.50: Poster
Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C
Photospannung an organischen Molekülschichten auf Halbleitersubstraten — •M. Kapeller1, S. Grafström1, J. Kowalski1 und R. Neumann2 — 1Physikalisches Institut, Universität Heidelberg, Philosophenweg 12, 69120 Heidelberg — 2Gesellschaft für Schwerionenforschung, Planckstr. 1, 64291 Darmstadt
Die Photospannung an einer Halbleiteroberfläche kann durch Adsorbate modifiziert werden. Sie läßt sich sehr empfindlich anhand der Verschiebung des UV-Photoelektronenspektrums messen. Wir haben mit dieser Methode die Grenzfläche zwischen einer dünnen Schicht des organischen Halbleiters Perylen-Tetracarbonsäure-Dianhydrid (PTCDA) und Ge(001)-2×1 untersucht. Eine adsorbatinduzierte Photospannung ließ sich ab einer Schichtdicke von etwa 3 Monolagen nachweisen. Die Wellenlängenabhängigkeit des Signals zeigt, daß die Photospannung durch Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren in der PTCDA-Schicht entsteht. Wir diskutieren die Möglichkeit, aus derartigen Messungen Informationen über die Bindungsverhältnisse an der Grenzfläche zu erhalten.